技術(shù)編號：3400018
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明關(guān)于一種用以制造半導體器件之方法；且更具體而言，關(guān)于一種用以在等離子體化學氣相沉積方法中使用的設(shè)備與一種用以通過使用此種設(shè)備制造半導體器件之方法。背景技術(shù) 在高度集成的半導體器件中，由于最小線寬已被減小，精細圖案間之間隔距離已被迅速縮減。因此，填充在這些精細圖案間所形成之間隙且其后平面化該間隙填充的精細圖案是高度必需的。而且，此平坦化之后的制程需要在低溫下被執(zhí)行以得到形成于基板上之精細金屬氧化半導體場效應晶體管(MOSFET)之所需功能且避免MOSF...
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