技術(shù)編號(hào)：3393634
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。 本發(fā)明涉及立方氮化硼薄膜的一種氣相沉積與退火工藝相結(jié)合的制備方法。屬于寬帶隙半導(dǎo)體或者超硬材料薄膜制備領(lǐng)域。 背景技術(shù) 氮化硼(BN)是一種新型寬帶隙半導(dǎo)體材料。在氮化硼系統(tǒng)中，六方氮化硼(h-BN)和立方氮化硼(c-BN)是兩個(gè)穩(wěn)定的主相。其中尤以立方氮化硼具有出眾的物理、化學(xué)，機(jī)械性能。因此，有關(guān)它的材料制備與特性研究，以及工業(yè)化、器件化的探索近年來(lái)一直是各國(guó)科研工作者，以及諸如美國(guó)G.E、IBM，英國(guó)DeBeers等知名半導(dǎo)體公司普遍關(guān)注的研究...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。