技術(shù)編號：3392918
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明一般涉及半導(dǎo)體器件，更具體地說，涉及用于這樣的器件的介質(zhì)層，該介質(zhì)層具有低的整體介電常數(shù)，與半導(dǎo)體襯底的良好粘附性以及對由熱循環(huán)引起的破裂的良好抵抗性，以及涉及用于制造這樣的介質(zhì)層的方法。背景技術(shù) 絕緣介質(zhì)層，通常稱為級間介質(zhì)(ILD)，常被用來分隔半導(dǎo)體器件中的導(dǎo)體和半導(dǎo)體層。近年來，公知為“低k介質(zhì)”的具有低介電常數(shù)k的介質(zhì)材料廣受歡迎，因為它們在導(dǎo)體之間和周圍產(chǎn)生較小的電容，并且比具有更高介電常數(shù)的常規(guī)氧化硅介質(zhì)更容易使用。低k材料如使用化學(xué)氣...
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