技術(shù)編號：3392610
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。含金屬-硅的薄膜的循環(huán)化學(xué)氣相沉積 相關(guān)申請的交叉引用該專利申請要求申請?zhí)枮?0/874,653，于2006年12月13日提交的美國臨 時專利申請的權(quán)益。背景技術(shù)金屬硅氮化物薄膜具有作為銅互連的擴散阻擋層或作為柵電極或作為相變 存儲器的加熱體的潛在應(yīng)用?，F(xiàn)在，金屬氨化物、硅烷和氨已被研究用來制備 金屬硅氮化物。 是一種自燃的氣體，隱含有潛在的危險。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明是在熱的基底上沉積金屬硅氮化物的方法，包括a. 將熱的基底和金屬氨化物接觸以將金屬氨化物吸附在該...
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