技術(shù)編號(hào):3376633
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種制備石墨烯薄膜的裝置和方法,及制得的石墨烯薄膜。更具體而言,涉及一種通過(guò)連續(xù)的化學(xué)氣相沉積法(簡(jiǎn)稱CVD法)制備石墨烯薄膜的裝置和方法,及制得的石墨烯薄膜。背景技術(shù)石墨烯具有優(yōu)異的力學(xué)、熱學(xué)、電學(xué)和磁學(xué)性能,有望在高性能納米電子器件、復(fù)合材料、能量?jī)?chǔ)存等多個(gè)領(lǐng)域獲得廣泛應(yīng)用,近年來(lái)成為研究的熱點(diǎn)之一。現(xiàn)有的CVD法生長(zhǎng)石墨烯薄膜的過(guò)程,如圖1所示先將金屬箔片1在氬氣和氫氣的保護(hù)環(huán)境下于約1000°c預(yù)熱處理約1. 5小時(shí),然后將其置于圓形石英...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。