技術(shù)編號：3373912
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體工藝設(shè)備，尤其是涉及一種沉積室容積可調(diào)節(jié)的原子層沉積設(shè)備。背景技術(shù)傳統(tǒng)的原子層沉積設(shè)備只包括一個沉積腔室，如圖1所示。在使用原子層沉積設(shè)備時，不同體積的器件都是在這個容積固定的腔室中進(jìn)行沉積反應(yīng)。對于每個原子層沉積周期來說，原子層沉積處理可沉積出厚度為大約O.1nm的膜，對于絕大部分的半導(dǎo)體應(yīng)用場合來說，可用的和經(jīng)濟(jì)上可行的周期時間必須要能提供厚度介于大約3nm-30nm的膜，并且對于其他應(yīng)用場合來說甚至要能提供更厚的膜。工業(yè)產(chǎn)量標(biāo)準(zhǔn)規(guī)...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。