專利名稱：一種沉積室容積可調(diào)節(jié)的原子層沉積設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體工藝設(shè)備，尤其是涉及一種沉積室容積可調(diào)節(jié)的原子層沉積設(shè)備。
背景技術(shù)：
傳統(tǒng)的原子層沉積設(shè)備只包括一個沉積腔室，如圖1所示。在使用原子層沉積設(shè)備時，不同體積的器件都是在這個容積固定的腔室中進(jìn)行沉積反應(yīng)。對于每個原子層沉積周期來說，原子層沉積處理可沉積出厚度為大約O.1nm的膜，對于絕大部分的半導(dǎo)體應(yīng)用場合來說，可用的和經(jīng)濟(jì)上可行的周期時間必須要能提供厚度介于大約3nm-30nm的膜，并且對于其他應(yīng)用場合來說甚至要能提供更厚的膜。工業(yè)產(chǎn)量標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定基板應(yīng)在2分鐘至3分鐘的時間范圍內(nèi)處理完，這就意味著原子層沉積周期時間必須在大約O. 6秒至6秒的時間范圍內(nèi)。如果待加工器件的體積相對沉積腔室過小的話，則會導(dǎo)致腔室暴露給化學(xué)試劑的區(qū)域增大，膜的生長發(fā)生在接觸化學(xué)試劑的反應(yīng)室壁和基板上，而膜在腔室壁上的生長傾向性與反應(yīng)室壁的表面積成正比，劣質(zhì)多孔膜沉積物的生長會引起腔室壁表面積增大，表面積的增大又會進(jìn)一步延長沉積室的記憶效應(yīng)。記憶效應(yīng)是由于化學(xué)試劑吸附在沉積室壁上并且會在隨后的一段時間內(nèi)逐漸從腔室壁上釋放，這種現(xiàn)象往往會增加沉積室中的痕量化學(xué)試劑的停留時間，進(jìn)而增大去除化學(xué)試劑所需的清理時間。而如果待加工器件的體積相對沉積腔室過大的話，則會對工藝過程產(chǎn)生影響，增加沉積時間，不能或很難滿足工業(yè)產(chǎn)量標(biāo)準(zhǔn)。因此，在化學(xué)試劑清理時間和沉積反應(yīng)時間之間，需要做出權(quán)衡，以達(dá)到最小沉積周期時間，合適的反應(yīng)腔室體積成為較恰當(dāng)?shù)倪x擇。然而現(xiàn)有沉積腔室的體積都是固定的，很難適應(yīng)多種不同體積的待加工器件，具有更強(qiáng)適應(yīng)性的沉積腔室的原子層沉積設(shè)備成為新的研究方向。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種原子層沉積設(shè)備，該設(shè)備具有容積可變的沉積腔室，能夠針對不同體積的器件選擇容積相對合適的沉積室。為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案為
一種沉積室容積可調(diào)節(jié)的原子層沉積設(shè)備，包括真空部件、加熱部件、氣路部件、等離子體產(chǎn)生部件、控制部件和容積可調(diào)節(jié)的沉積室；所述控制部件分別與所述真空部件、加熱部件、氣路部件和等離子體產(chǎn)生部件相連接，所述真空部件、加熱部件、氣路部件和等離子體產(chǎn)生部件分別與所述容積可調(diào)節(jié)的沉積室相連接。上述方案中，所述容積可調(diào)節(jié)的沉積室包括容積不同的第一沉積室、第二沉積室和第三沉積室；所述第一沉積室、第二沉積室和第三沉積室之間通過密封提升頭連接，所述各個沉積室均設(shè)有獨(dú)立的基板保持器和加熱器。上述方案中，當(dāng)選擇所述第一沉積室、第二沉積室和第三沉積室其中一個沉積室進(jìn)行沉積反應(yīng)時，關(guān)閉相應(yīng)的所述密封提升頭，使被選擇的沉積室處于密閉狀態(tài)，另外兩個腔室則作為氣路系統(tǒng)的一部分；當(dāng)通入化學(xué)試劑和清理氣體時，所述密封提升頭全部打開，使所述第一沉積室、第二沉積室和第三沉積室形成通路。上述方案中，所述第一沉積室的容積為所述第二沉積室的O. 6倍，所述第三沉積室的容積為所述第二沉積室的1. 5倍。上述方案中，所述容積可調(diào)節(jié)的沉積室包括基板保持器、加熱器和可移動的腔壁，所述可移動的腔壁包括第一預(yù)定位置、第二預(yù)定位置和第三預(yù)定位置；所述可移動的腔壁移動至所述第一預(yù)定位置時，形成第一沉積室；所述可移動的腔壁移動至所述第二預(yù)定位置時，形成第二沉積室；所述可移動的腔壁移動至所述第三預(yù)定位置時，形成第三沉積室；所述各個沉積室共用所述基板保持器和所述加熱器。上述方案中，所述第一沉積室的容積為所述第二沉積室的O. 6倍，所述第三沉積室的容積為所述第二沉積室的1. 5倍。上述方案中，所述控制部件包括計(jì)算機(jī)和數(shù)據(jù)處理模塊；所述計(jì)算機(jī)與所述數(shù)據(jù)處理模塊連接，所述數(shù)據(jù)處理模塊分別與所述真空部件、加熱部件、氣路部件、等離子體產(chǎn)生部件連接；
其中，所述計(jì)算機(jī)，用于顯示系統(tǒng)操作界面、接收外部命令、顯示系統(tǒng)各部件運(yùn)行中的參數(shù)，向數(shù)據(jù)處理模塊發(fā)送運(yùn)行指令和數(shù)據(jù)和對設(shè)備其它部件進(jìn)行控制，并從數(shù)據(jù)處理模塊接收指令數(shù)據(jù)，對接收到的指令數(shù)據(jù)進(jìn)行分析；所述數(shù)據(jù)處理模塊，用于對所述真空部件、加熱部件、氣路部件、等離子體產(chǎn)生部件發(fā)送的數(shù)據(jù)進(jìn)行處理。與現(xiàn)有技術(shù)方案相比，本發(fā)明采用的技術(shù)方案產(chǎn)生的有益效果如下
本發(fā)明可提供不同容積的沉積反應(yīng)室，能夠較好的適應(yīng)不同體積的待加工器件，反應(yīng)腔室和待加工器件合理的體積比，可以有效的降低沉積反應(yīng)周期時間，減少劣質(zhì)膜的生長，降低膜層的顆粒度，提供沉積 質(zhì)量，滿足半導(dǎo)體器件到膜層精度的要求。


圖1為現(xiàn)有技術(shù)中原子層沉積設(shè)備的原理框 圖2為本發(fā)明實(shí)施例1提供的原子層沉積設(shè)備的原理框 圖3為本發(fā)明實(shí)施例2提供的原子層沉積設(shè)備的原理框圖 圖4為本發(fā)明實(shí)施例2中容積可調(diào)節(jié)的沉積室的結(jié)構(gòu)示意 圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的原子層沉積設(shè)備的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)圖。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對本發(fā)明技術(shù)方案進(jìn)行詳細(xì)描述。實(shí)施例1 :
本實(shí)施例提供一種沉積室容積可調(diào)節(jié)的原子層沉積設(shè)備，包括真空部件、加熱部件、氣路部件、等離子體產(chǎn)生部件、控制部件和容積可調(diào)節(jié)的沉積室。控制部件分別與真空部件、加熱部件、氣路部件和等離子體產(chǎn)生部件相連接，真空部件、加熱部件、氣路部件和等離子體產(chǎn)生部件分別與容積可調(diào)節(jié)的沉積室相連接。如圖2所示，容積可調(diào)節(jié)的沉積室包括容積不同的第一沉積室、第二沉積室和第三沉積室；第一沉積室、第二沉積室和第三沉積室之間通過封閉性能良好的密封提升頭連接，各個沉積室均設(shè)有獨(dú)立的基板保持器和加熱器。第二沉積室的容積為常用尺寸，第一沉積室的容積為第二沉積室的O. 6倍，第三沉積室的容積為所述第二沉積室的1. 5倍，這種比例已經(jīng)能滿足絕大多數(shù)客戶需求。當(dāng)選擇所述第一沉積室、第二沉積室和第三沉積室其中一個沉積室進(jìn)行沉積反應(yīng)時，關(guān)閉相應(yīng)的所述密封提升頭，使被選擇的沉積室處于密閉狀態(tài)，另外兩個腔室則作為氣路系統(tǒng)的一部分；當(dāng)通入化學(xué)試劑和清理氣體時，所述密封提升頭全部打開，使所述第一沉積室、第二沉積室和第三沉積室形成通路。
實(shí)施例2:
本實(shí)施例提供一種沉積室容積可調(diào)節(jié)的原子層沉積設(shè)備，包括真空部件、加熱部件、氣路部件、等離子體產(chǎn)生部件、控制部件和容積可調(diào)節(jié)的沉積室。控制部件分別與真空部件、加熱部件、氣路部件和等離子體產(chǎn)生部件相連接，真空部件、加熱部件、氣路部件和等離子體產(chǎn)生部件分別與容積可調(diào)節(jié)的沉積室相連接。如圖3和圖4所示，容積可調(diào)節(jié)的沉積室包括基板保持器1、加熱器和可移動的腔壁2，可移動的腔壁包括第一預(yù)定位置101、第二預(yù)定位置102和第三預(yù)定位置103 ;可移動的腔壁移動至第一預(yù)定位置101時，形成第一沉積室；可移動的腔壁移動至第二預(yù)定位置102時，形成第二沉積室；可移動的腔壁移動至第三預(yù)定位置103時，形成第三沉積室；各個沉積室共用基板保持器I和所述加熱器。第二沉積室的容積為常用尺寸，第一沉積室的容積為第二沉積室的O. 6倍，第三沉積室的容積為所述第二沉積室的1. 5倍，這種比例已經(jīng)能滿足絕大多數(shù)客戶需求。當(dāng)選擇某個沉積室時，沉積室的腔壁2可移動到預(yù)定的位置，形成固定的沉積室。上述兩個實(shí)施例中的控制部件包括計(jì)算機(jī)25和數(shù)據(jù)處理模塊26，計(jì)算機(jī)25與數(shù)據(jù)處理模塊26連接，數(shù)據(jù)處理模塊26分別與真空部件、加熱部件、氣路部件、等離子體產(chǎn)生部件連接。其中，計(jì)算機(jī)25，用于顯示系統(tǒng)操作界面、接收外部命令、顯示系統(tǒng)各部件運(yùn)行中的參數(shù)，向數(shù)據(jù)處理模塊發(fā)送運(yùn)行指令和數(shù)據(jù)和對設(shè)備其它部件進(jìn)行控制，并從數(shù)據(jù)處理模塊接收指令數(shù)據(jù)，對接收到的指令數(shù)據(jù)進(jìn)行分析；數(shù)據(jù)處理模塊26，用于對真空部件、力口熱部件、氣路部件、等離子體產(chǎn)生部件發(fā)送的數(shù)據(jù)進(jìn)行處理。本發(fā)明在計(jì)算機(jī)25的基礎(chǔ)上，加入了數(shù)據(jù)處理模塊26，用于實(shí)時快速處理數(shù)據(jù)，目的是緩解計(jì)算機(jī)的運(yùn)算壓力，提高設(shè)備運(yùn)行速度。計(jì)算機(jī)25作為原子層沉積設(shè)備中的控制中樞，對原子層沉積設(shè)備的真空部件、力口熱部件、氣路部件、等離子體產(chǎn)生部件進(jìn)行控制操作，控制設(shè)備各個部件之間的信息交流，是整個設(shè)備的調(diào)度中心，負(fù)責(zé)設(shè)備中涉及的數(shù)據(jù)處理的主要部分，完成設(shè)備中指令分析和發(fā)送、接收和處理其它部件的請求，實(shí)現(xiàn)控制功能，保證設(shè)備良好運(yùn)行。數(shù)據(jù)處理模塊26作為原子層沉積設(shè)備中的輔助數(shù)據(jù)處理中心，負(fù)責(zé)對原子層設(shè)備的真空部件、加熱部件、氣路部件、等離子體產(chǎn)生部件發(fā)送的數(shù)據(jù)進(jìn)行處理,數(shù)據(jù)處理模塊中固化了具體的數(shù)據(jù)處理程序，通過分析各個部件的請求，啟用相應(yīng)的處理程序，實(shí)時快速的返回處理結(jié)果。在此之前，需要做的工作是對原子層沉積設(shè)備中全部涉及數(shù)據(jù)處理的任務(wù)進(jìn)行詳細(xì)分析，將只需要計(jì)算結(jié)果以及可以延時處理的數(shù)據(jù)處理類型分配給數(shù)據(jù)處理模塊，其它的任務(wù)則全部需要通過計(jì)算機(jī)完成。數(shù)據(jù)處理模塊除了進(jìn)行數(shù)據(jù)處理外，還可作為原子層設(shè)備的真空部件、加熱部件、氣路部件、等離子體產(chǎn)生部件和計(jì)算機(jī)之間交流的通道，數(shù)據(jù)處理模塊可以將這四個部件中不涉及數(shù)據(jù)處理的請求直接傳送給計(jì)算機(jī)，計(jì)算機(jī)作為響應(yīng)，將響應(yīng)結(jié)果通過數(shù)據(jù)處理模塊發(fā)送給其它部件。數(shù)據(jù)處理模塊具有強(qiáng)大的數(shù)據(jù)處理功能，分擔(dān)了計(jì)算機(jī)發(fā)送、接收指令和數(shù)據(jù)和對指令、數(shù)據(jù)進(jìn)行分析處理的計(jì)算壓力，承擔(dān)很大一部分原子層設(shè)備運(yùn)行過程中的處理數(shù)據(jù)的操作，使計(jì)算機(jī)可以專注于協(xié)調(diào)和控制真空部件、加熱部件、氣路部件、等離子體產(chǎn)生部件之間的運(yùn)行，讓原子層沉積設(shè)備穩(wěn)定快速的工作，滿足薄膜(或薄層)的沉積生長所要求的處理速度。如圖5所示，本發(fā)明中計(jì)算機(jī)25和數(shù)據(jù)處理模塊26連接，計(jì)算機(jī)25用于顯示系統(tǒng)操作界面、接收外部命令、顯示系統(tǒng)各部件運(yùn)行中的參數(shù)，向數(shù)據(jù)處理模塊26發(fā)送運(yùn)行指令和數(shù)據(jù)和對設(shè)備其它部件進(jìn)行控制，并從數(shù)據(jù)處理模塊26接收指令數(shù)據(jù)，對接收到的指令數(shù)據(jù)進(jìn)行分析，協(xié)調(diào)和控制整個原子層沉積設(shè)備運(yùn)行在正常工作狀態(tài)。加熱部件中的溫控器24通過RS232串口與數(shù)據(jù)處理模塊26連接，真空部件中的壓力傳感器和真空計(jì)27分別通過RS232和RS485串口與數(shù)據(jù)處理模塊26連接，數(shù)據(jù)處理模塊26作為射頻電源16、質(zhì)量流量控制器1、質(zhì)量流量控制器23、電壓電流放大模塊29和數(shù)據(jù)處理模塊26的數(shù)據(jù)信息交流處理通道，使得整個控制部件結(jié)構(gòu)清晰，便于生產(chǎn)。數(shù)據(jù)處理模塊26和電壓電流放大模塊29連接，電壓電流放大模塊29和繼電器28連接，繼電器28下端為泵組電源22。數(shù)據(jù)處理模塊26和氣路部件中的電磁閥2至電磁閥9相連。使用本發(fā)明時，先啟動計(jì)算機(jī)25，根據(jù)待加工器件的尺寸，操作人員設(shè)置參數(shù)以使用體積合適的反應(yīng)腔室進(jìn)行沉積，參數(shù)設(shè)置完畢后，設(shè)備將完成如下操作
(I)計(jì)算機(jī)25通過數(shù)據(jù)處理模塊26發(fā)送開啟命令，電源電流放大模塊29輸出高電壓，控制繼電器28的接通，進(jìn)而開啟控制泵組電源22，啟動機(jī)械泵21和分子泵20。數(shù)據(jù)處理模塊26和氣路部件中的電磁閥2至電磁閥9相連，對電磁閥2至電磁閥5的控制是為了調(diào)節(jié)氣路通斷，對電磁閥6至電磁閥9的控制分別是為了調(diào)節(jié)氣路部件中的源瓶10至源瓶13的通斷。數(shù)據(jù)處理模塊26將計(jì)算機(jī)25的指令、數(shù)據(jù)傳送到質(zhì)量流量控制器和電磁閥中，打開手動閥門14和手動閥門15，對沉積室19和管路進(jìn)行抽氣，抽本底真空(約到5X 10-4torr);數(shù)據(jù)處理模塊26對溫控器 24、熱電偶提供的溫度信息進(jìn)行分析處理，將結(jié)果返回給計(jì)算機(jī)25，計(jì)算機(jī)25監(jiān)控加熱盤、源瓶、管路、腔壁的溫度，決定各個待加熱部件繼續(xù)加熱或停止加熱，使它們工作在設(shè)置的溫度狀態(tài)，完成對氣路部件、加熱部件的控制。(2)通過計(jì)算機(jī)25設(shè)置流量計(jì)大小，并保存該值，打開質(zhì)量流量控制器1、質(zhì)量流量控制器23、電磁閥2、電磁閥3，氣體30、氣體31將進(jìn)入氣路，對氣路部件進(jìn)行充氣，計(jì)算機(jī)25對系統(tǒng)壓強(qiáng)實(shí)時監(jiān)控，當(dāng)系統(tǒng)達(dá)到所需工作壓強(qiáng)時，關(guān)閉上述質(zhì)量流量控制器和電磁閥，停止充氣。(3)設(shè)置沉積工作所需要的參數(shù)，計(jì)算機(jī)25將參數(shù)加入控制命令中，發(fā)送到數(shù)據(jù)處理模塊26，數(shù)據(jù)處理模塊26作為信息通道，將計(jì)算機(jī)25的指令發(fā)送到射頻電源16的接收部件中，控制射頻電源16的開啟以及對輸出功率的設(shè)定，同時，射頻電源匹配器17保證射頻電源16為等離子體產(chǎn)生系統(tǒng)18提供穩(wěn)定的功率。射頻電源16的輸出功率作為數(shù)據(jù)處理模塊26的接收量反饋給計(jì)算機(jī)25，計(jì)算機(jī)25對該功率進(jìn)行分析，以使等離子體產(chǎn)生部件中的等離子體產(chǎn)生系統(tǒng)18工作在穩(wěn)定的狀態(tài)，從而完成對等離子體產(chǎn)生部件的控制并進(jìn)行沉積。(4)沉積結(jié)束后，計(jì)算機(jī)25控制整個設(shè)備空運(yùn)行η個周期，對原子層沉積設(shè)備進(jìn)行吹掃凈化，發(fā)送指令，打開電磁閥5至電磁閥9，開啟源瓶10至源瓶13，對沉積室19進(jìn)行凈化。(5)吹掃結(jié)束后，關(guān)閉程序，完成原子層沉積的全部工作。本發(fā)明在進(jìn)行原子層沉積時，可確保原子層沉積設(shè)備在規(guī)定時間內(nèi)完成沉積反應(yīng)，并具有較強(qiáng)的適應(yīng)性，可根據(jù)器件尺寸的不同，由操作人員選擇合適的反應(yīng)腔室體積，較之傳統(tǒng)的單一沉積室固定的體積，具有更多的可選擇范圍，能夠有效降低沉積反應(yīng)周期時間，減少記憶效應(yīng)和氣體 清理時間，減少膜層顆粒度，提供產(chǎn)品質(zhì)量。以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不用于限制本發(fā)明，對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，本發(fā)明可有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種沉積室容積可調(diào)節(jié)的原子層沉積設(shè)備，其特征在于包括真空部件、加熱部件、氣路部件、等離子體產(chǎn)生部件、控制部件和容積可調(diào)節(jié)的沉積室；所述控制部件分別與所述真空部件、加熱部件、氣路部件和等離子體產(chǎn)生部件相連接，所述述真空部件、加熱部件、氣路部件和等離子體產(chǎn)生部件分別與所述容積可調(diào)節(jié)的沉積室相連接。
2.如權(quán)利要求1所述的沉積室容積可調(diào)節(jié)的原子層沉積設(shè)備，其特征在于所述容積可調(diào)節(jié)的沉積室包括容積不同的第一沉積室、第二沉積室和第三沉積室；所述第一沉積室、第二沉積室和第三沉積室之間通過密封提升頭連接，所述各個沉積室均設(shè)有獨(dú)立的基板保持器和加熱器。
3.如權(quán)利要求2所述的沉積室容積可調(diào)節(jié)的原子層沉積設(shè)備，其特征在于當(dāng)選擇所述第一沉積室、第二沉積室和第三沉積室其中一個沉積室進(jìn)行沉積反應(yīng)時，關(guān)閉相應(yīng)的所述密封提升頭，使被選擇的沉積室處于密閉狀態(tài)，另外兩個腔室則作為氣路系統(tǒng)的一部分；當(dāng)通入化學(xué)試劑和清理氣體時，所述密封提升頭全部打開，使所述第一沉積室、第二沉積室和第三沉積室形成通路。
4.如權(quán)利要求2所述的沉積室容積可調(diào)節(jié)的原子層沉積設(shè)備，其特征在于所述第一沉積室的容積為所述第二沉積室的O. 6倍，所述第三沉積室的容積為所述第二沉積室的1. 5 倍。
5.如權(quán)利要求1所述的沉積室容積可調(diào)節(jié)的原子層沉積設(shè)備，其特征在于所述容積可調(diào)節(jié)的沉積室包括基板保持器、加熱器和可移動的腔壁，所述可移動的腔壁包括第一預(yù)定位置、第二預(yù)定位置和第三預(yù)定位置；所述可移動的腔壁移動至第一預(yù)定位置時，形成第一沉積室；所述可移動的腔壁移動至第二預(yù)定位置時，形成第二沉積室；所述可移動的腔壁移動至第三預(yù)定位置時，形成第三沉積室；所述各個沉積室共用所述基板保持器和所述加熱器。
6.如權(quán)利要求5所述的沉積室容積可調(diào)節(jié)的原子層沉積設(shè)備，其特征在于所述第一沉積室的容積為所述第二沉積室的O. 6倍，所述第三沉積室的容積為所述第二沉積室的1. 5 倍。
7.如權(quán)利要求1所述的沉積室容積可調(diào)節(jié)的原子層沉積設(shè)備，其特征在于所述控制部件包括計(jì)算機(jī)和數(shù)據(jù)處理模塊；所述計(jì)算機(jī)與所述數(shù)據(jù)處理模塊連接，所述數(shù)據(jù)處理模塊分別與所述真空部件、加熱部件、氣路部件、等離子體產(chǎn)生部件連接； 其中，所述計(jì)算機(jī)，用于顯示系統(tǒng)操作界面、接收外部命令、顯示系統(tǒng)各部件運(yùn)行中的參數(shù)，向數(shù)據(jù)處理模塊發(fā)送運(yùn)行指令和數(shù)據(jù)和對設(shè)備其它部件進(jìn)行控制，并從數(shù)據(jù)處理模塊接收指令數(shù)據(jù)，對接收到的指令數(shù)據(jù)進(jìn)行分析；所述數(shù)據(jù)處理模塊，用于對所述真空部件、加熱部件、氣路部件、等離子體產(chǎn)生部件發(fā)送的數(shù)據(jù)進(jìn)行處理。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體工藝設(shè)備，尤其是涉及一種沉積室容積可調(diào)節(jié)的原子層沉積設(shè)備。所述原子層沉積設(shè)備，包括真空部件、加熱部件、氣路部件、等離子體產(chǎn)生部件、控制部件和容積可調(diào)節(jié)的沉積室；控制部件分別與真空部件、加熱部件、氣路部件和等離子體產(chǎn)生部件相連接，真空部件、加熱部件、氣路部件和等離子體產(chǎn)生部件分別與容積可調(diào)節(jié)的沉積室相連接。本發(fā)明可提供不同容積的沉積室，能夠較好的適應(yīng)不同體積的待加工器件，沉積室和待加工器件合理的體積比，可以有效的降低沉積反應(yīng)周期時間，減少劣質(zhì)膜的生長，降低膜層的顆粒度，提供沉積質(zhì)量，滿足半導(dǎo)體器件到膜層精度的要求。
文檔編號C23C16/52GK103031545SQ20111030006
公開日2013年4月10日 申請日期2011年9月29日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月29日
發(fā)明者王燕, 李勇滔, 夏洋, 趙章琰, 石莎莉 申請人:中國科學(xué)院微電子研究所