技術(shù)編號(hào)：3367773
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種相變存儲(chǔ)材料及其制備方法，以及具有所述相變存儲(chǔ)材料的存儲(chǔ)器及其制備方法。背景技術(shù)相變存儲(chǔ)器(PC-RAM)是近年來(lái)興起的一種非揮發(fā)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。它與目前已有的多種半導(dǎo)體存儲(chǔ)技術(shù)相比，具有低功耗，高密度、抗輻照、非易失性、高速讀取、循環(huán)壽命長(zhǎng)(> IO13次)、器件尺寸可縮性(納米級(jí))，耐高低溫(-55°C至125°C)、抗振動(dòng)、抗電子干擾和制造工藝簡(jiǎn)單(能和現(xiàn)有的集成電路工藝相匹配)等優(yōu)點(diǎn)，是目前被工業(yè)界廣泛看好的下一代存儲(chǔ)器中最有力的...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。