技術(shù)編號：3364038
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種利用直流磁控濺射制備高阻透明ZnO基薄膜的制備方法。屬于透明導(dǎo)電薄膜材料(TCM)技術(shù)領(lǐng) 域。背景技術(shù)高阻透明ZnO薄膜在透明電子學(xué)和新型光電器件領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用前景，在薄膜太陽能電池及光電器件中，電阻在一定范圍內(nèi)可控、高透過率的ZnO薄膜可作為窗口層和擴散阻擋層，更是可顯著地提高薄膜電池的均勻性和穩(wěn)定性。在非晶硅、微晶硅及CdTe 薄膜太陽能電池中，在背電極和N型光吸收層之間沉積一薄層高阻透明ZnO薄膜，可作為擴散阻擋層[(1)Α· V....
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