技術(shù)編號(hào)：3361395
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及選擇性蝕刻和二氟化氙的形成。 背景技術(shù)在電子工業(yè)中已開發(fā)出各種沉積技術(shù)，其中將選定材料沉積于目標(biāo)基材上以制造 電子元件比如半導(dǎo)體。一種沉積工藝是化學(xué)氣相沉積(CVD)，其中氣體反應(yīng)劑被導(dǎo)入至經(jīng)加 熱的加工腔室(chamber)中得到被沉積于期望基材上的膜。CVD的一個(gè)亞型被稱作等離子 體增強(qiáng)CVD(PECVD)，其中等離子體在CVD加工腔室中建立。通常，所有沉積方法均造成膜和顆粒材料累積在不同于目標(biāo)基材的表面上，即，沉 積材料也聚集在沉積工藝中使...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。