技術(shù)編號：3360819
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種含有電容元件的半導(dǎo)體器件的制備方法。具體而言，涉及一種使用有機金屬源氣體，沉積高介電或鐵電膜的方法，所述的膜用于在半導(dǎo)體集成電路中的電容器或門(gate)。背景技術(shù) 最近，對利用鐵電電容器的鐵電體存儲器以及動態(tài)隨機存取存儲器(DRAMs)進行了廣泛地研究和開發(fā)。這些鐵電體存儲器和DRAMs含有選擇晶體管。他們使用連接到在選擇晶體管中的其中一層擴散層的電容器來貯存信息，所述的電容器作為存儲元件。鐵電電容器包括由如作為電容器絕緣膜的由Pb(Zr，...
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