技術(shù)編號(hào)：3359950
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及作為薄膜晶體管等中的半導(dǎo)體薄膜使用的金屬硅化合物薄膜及其制 造方法。背景技術(shù)使Si結(jié)晶或非晶Si極薄膜化是可能的。實(shí)際上，有報(bào)告指出通過使絕緣體上硅 (Silicon on Insulator, SOI)基板熱氧化，能夠形成平均膜厚為0. 7nm的結(jié)晶Si層(參照 非專利文獻(xiàn)1)。但是，如果以此方式進(jìn)行薄膜化，則在原子層水平上難以控制界面的結(jié)構(gòu)， 從而會(huì)產(chǎn)生缺陷等的界面狀態(tài)。因?yàn)閭鲗?dǎo)層極薄，所以這樣的界面狀態(tài)的產(chǎn)生會(huì)成為載流 子散亂的主要原因而對(duì)...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。