技術(shù)編號(hào)：3351169
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及。技術(shù)背景隨著半導(dǎo)體技術(shù)的飛速發(fā)展，作為硅基集成電路核心器件的MOSFET的特征 尺寸正以摩爾定律的速度縮小，然而，當(dāng)傳統(tǒng)柵介質(zhì)層Si02的厚度減小到原子 尺寸時(shí)，由于量子隧穿效應(yīng)的影響，Si02將失去介電性能，致使器件無法正常工 作。因此，必須尋找新的高介電常數(shù)(高")材料來替代它，能夠在保持和增 大柵極電容的同時(shí)，使介質(zhì)層仍然保持足夠的物理厚度來限制隧穿效應(yīng)的影響。 如果高《薄膜的漏電流可以通過一種有效的方法而降低幾個(gè)數(shù)量級(jí)的漏電流， 那么高...
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