技術編號：3351012
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種用于制備二聚和/或三聚硅化合物的方法，特別是制 備硅卣化物化合物的方法。另外，本發(fā)明的方法也適合制備相應的鍺化 合物。此外本發(fā)明還涉及一種實施該方法的裝置以及所制得的硅化合物 的用途。背景技術用于微電子工業(yè)中例如利用外延法來制備高純度硅或制備氮化硅(SiN)、氧化硅(SiO)、氮氧化硅(SiON)、碳氧化硅(SiOC)或碳化硅(SiC) 的硅化合物，其必須要在其純度方面滿足極高的要求。在制備這些材料 的薄層時特別要求如此。在上述的應用領域中，...
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