技術編號：3348136
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及鍍碳阻擋膜，具體而言，涉及具有增加了四面體等同碳濃度的鍍碳阻擋膜，這種四面體等同碳將一些類似金剛石的特性賦予該碳鍍層。已知碳鍍層可提供某些阻擋特性。例如碳鍍層可抑制一些成分例如水和氧的透過。因此，通常將碳鍍層鍍在原來不具有阻擋特性的襯底(例如聚合薄膜)上。具有這種碳鍍層的膜通常稱之為阻擋膜?？刹捎枚喾N不同的技術將碳鍍層淀積在襯底上。優(yōu)選的一種技術是等離子體增強化學氣相淀積法(PECVD)，該方法可使碳淀積在例如聚合薄膜的低溫襯底上。這種技術與其他...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。