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濺射靶材料、其制備方法、及使用其制備的薄膜的制作方法技術(shù)資料下載

技術(shù)編號(hào):3344353

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濺射靶材料、其制備方法、及使用其制備的薄膜[對(duì)相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用]本申請(qǐng)要求在2009年2月25日提交的日本專利申請(qǐng)2009-41817的優(yōu)先權(quán),該日本專利申請(qǐng)的全部?jī)?nèi)容通過(guò)引用結(jié)合在此。本發(fā)明涉及一種用于制備垂直磁記錄介質(zhì)的Ni-W-Cr合金中間層膜的濺射靶材料,其方法以及用其制備的薄膜。近年來(lái),磁記錄技術(shù)已經(jīng)有了顯著的進(jìn)步,并且在磁記錄介質(zhì)中的記錄密度的提高由于增加驅(qū)動(dòng)器容量而進(jìn)展。然而,在世界上常規(guī)地用于縱向磁記錄系統(tǒng)的磁記錄介質(zhì)中,對(duì)實(shí)現(xiàn)高記錄密度...
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