技術(shù)編號：3320723
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。，涉及六方氮化硼二維納米薄膜的制備。提供可有效縮減復(fù)雜的氮化硼專業(yè)工藝，提高h-BN的質(zhì)量，并直接和Si基電子器件結(jié)合，從而獲得高性能的新型光電子器件的。采用一端封閉的石英管，控制CVD氣流溫度條件在Cu箔上生長出二維h-BN薄膜；將生長出二維h-BN薄膜的Cu箔與Si片同時放置，調(diào)控其距離，在Si(100)表面沉積均勻且尺寸小于1μm的Cu微晶粒陣列；利用Cu微晶粒催化作用，在Si(100)上直接生長六方氮化硼二維薄膜。專利說明 [0001]本發(fā)明...
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