技術(shù)編號：3308601
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。一種通過使用原子層沉積過程將材料沉積到基底上的方法，其中所述沉積過程包括第一沉積步驟、第一沉積步驟后的第二沉積步驟和在所述第一沉積步驟和第二沉積步驟之間的至少一分鐘的延遲。每個沉積步驟包括多個沉積循環(huán)。延遲通過在選擇的一個沉積循環(huán)結(jié)束處延遲凈化氣體被供應(yīng)到容納基底的處理腔室的時間段而被引入到沉積過程中。專利說明 原子層沉積 [0001]本發(fā)明涉及一種使用原子層沉積涂覆基底的方法。 背景技術(shù) [0002]原子層沉積(ALD)是薄膜沉積技術(shù)，通過這...
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