原子層沉積的制作方法
【專利摘要】一種通過使用原子層沉積過程將材料沉積到基底上的方法，其中所述沉積過程包括第一沉積步驟、第一沉積步驟后的第二沉積步驟和在所述第一沉積步驟和第二沉積步驟之間的至少一分鐘的延遲。每個(gè)沉積步驟包括多個(gè)沉積循環(huán)。延遲通過在選擇的一個(gè)沉積循環(huán)結(jié)束處延遲凈化氣體被供應(yīng)到容納基底的處理腔室的時(shí)間段而被引入到沉積過程中。
【專利說明】
原子層沉積

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種使用原子層沉積涂覆基底的方法。

【背景技術(shù)】
[0002]原子層沉積(ALD)是薄膜沉積技術(shù)，通過這個(gè)技術(shù)，給定量的材料在每個(gè)沉積循環(huán)期間被沉積。因此，控制涂層厚度是簡(jiǎn)單的。一個(gè)缺點(diǎn)是涂層增厚的速度。
[0003]ALD是基于一種材料的單獨(dú)的或部分的單層的順序沉積的方法。膜要被沉積的表面在被生長(zhǎng)反應(yīng)器凈化以移除所有殘余化學(xué)活性源氣體或副產(chǎn)物后被順序地暴露于不同的前體。當(dāng)生長(zhǎng)表面被暴露到前體時(shí)，它被前體的單層完全浸透。該單層的厚度取決于前體與生長(zhǎng)表面的反應(yīng)性。這導(dǎo)致一定數(shù)量的優(yōu)點(diǎn)，例如良好的均勻性和一致性，和容易且精確的膜厚度控制。
[0004]兩種類型的ALD為熱和等離子體增強(qiáng)ALD (PEALD)。在二元反應(yīng)上，ALD與化學(xué)氣相沉積(CVD)是非常相似的。ALD的方法是基于二元反應(yīng)找到CVD過程，然后單獨(dú)地或順序地施加兩種不同類型的反應(yīng)物。在ALD中，所述反應(yīng)在不同的溫度下同時(shí)發(fā)生，并且將被稱為熱ALD，因?yàn)樵摲磻?yīng)能夠在沒有等離子體協(xié)助或基體協(xié)助的情況下進(jìn)行。單元素膜很難通過使用熱ALD過程進(jìn)行沉積但能夠通過使用等離子體或基體增強(qiáng)ALD進(jìn)行沉積。熱ALD趨于更快并且以更好的縱橫比產(chǎn)生膜，所以將熱ALD和PEALD過程組合是已知的。等離子體中的其他能量物或基體幫助引起不可能僅使用熱能進(jìn)行的反應(yīng)。除了單元素材料以外，混合材料也能夠使用等離子體ALD進(jìn)行沉積。一個(gè)重要的優(yōu)勢(shì)是，等離子體ALD相比于熱ALD能夠在低得多的溫度下沉積膜。氧氣等離子體ALD也能夠?qū)⒔饘傺趸锉Ｐ蔚爻练e在疏水表面上。
[0005]在ALD中，膜的生長(zhǎng)循環(huán)性地發(fā)生。參見圖18，在最簡(jiǎn)單的情況中，一個(gè)循環(huán)由四個(gè)階段組成。在過程的開始，腔室處于基本真空壓力600，在整個(gè)沉積過程中，惰性氣體(氬氣或氮?dú)?流被持續(xù)地引入沉積腔室中，形成恒定的基本壓力610。氣流還在凈化循環(huán)中用作凈化氣體。沉積循環(huán)如下:
[0006](i)暴露第一前體620，導(dǎo)致沉積腔室中壓力的突升；
[0007](ii)用氣流630進(jìn)行凈化或?qū)Ψ磻?yīng)腔室抽真空；
[0008](iii)暴露第二前體640，導(dǎo)致沉積腔室中的壓力的突升；和
[0009](iv)凈化或抽真空650。
[0010]沉積循環(huán)被盡可能多次地重復(fù)以獲得預(yù)期的膜厚度。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0011]根據(jù)第一方面，本發(fā)明提供了在基底上沉積材料的方法，包括以下步驟:
[0012]提供基底；和
[0013]通過原子層沉積在基底上沉積涂層，其中所述沉積包括第一沉積步驟、沉積中斷、和隨后的第二沉積步驟。
[0014]每個(gè)沉積步驟包括多個(gè)沉積循環(huán)。每個(gè)沉積循環(huán)包括產(chǎn)生涂層所需的所有沉積階段。例如，為了產(chǎn)生氧化物，每個(gè)沉積循環(huán)包括用于例如每個(gè)金屬前體和氧化前體的一個(gè)或多個(gè)沉積階段，對(duì)于氧化鉿的產(chǎn)生，存在用于每個(gè)鉿前體和氧化前體的一個(gè)沉積階段。涂層能夠被認(rèn)為是通過被中斷或延遲而分開的兩個(gè)沉積步驟產(chǎn)生的。因此，涂層通過完成多個(gè)沉積循環(huán)、中斷、然后完成包括多個(gè)沉積循環(huán)的第二組而產(chǎn)生。
[0015]所述暫停是沉積過程中的中斷或延遲，其被發(fā)現(xiàn)對(duì)于沉積在基底上的材料的某些性質(zhì)是有利的。延遲優(yōu)選地具有至少一分鐘的持續(xù)時(shí)間。由此，在本發(fā)明的第二方面中提供了一種通過使用原子層沉積過程將材料沉積到基底上的方法，其中所述沉積過程包括第一沉積步驟、第一沉積步驟后的第二沉積步驟和在所述第一沉積步驟和第二沉積步驟之間的至少一分鐘的延遲時(shí)間段。
[0016]第一和第二沉積步驟之間的延遲或中斷不同于凈化或暴露階段。凈化必須緊接在每個(gè)暴露階段之后以對(duì)沉積腔室抽真空，無(wú)論有沒有形成一個(gè)原子層(即，金屬氧化物)。另一方面，延遲只發(fā)生在一個(gè)完全的原子層沉積后并且該延遲斷開或介入連續(xù)的沉積過程流。因此，延遲能夠與凈化階段區(qū)分開，因?yàn)檠舆t不是沉積循環(huán)中的一個(gè)階段。同樣地，延遲能夠與反應(yīng)物被引入腔室的暴露階段區(qū)分開，因?yàn)樵谠撾A段中壓力升高并且額外地這是沉積循環(huán)中的階段之一。此外，優(yōu)選的是，腔室中的溫度在延遲或中斷期間被保持。因此，用于延遲或中斷的溫度條件大致類似于沉積步驟的溫度條件。延遲或中斷不是最終被涂覆的基底的溫度升高的后沉積退火步驟，而是兩個(gè)沉積步驟或兩組沉積循環(huán)之間的中間步驟。
[0017]延遲優(yōu)選地通過保持處理腔室中的恒定的基本壓力被引入沉積，例如在第一沉積步驟和第二沉積步驟之間通過保持基底所在的處理腔室中的氬氣氣體的恒定流至少一分鐘的時(shí)間，所以本發(fā)明的第三方面提供了一種在腔室中通過使用原子層沉積過程將材料沉積到基底上的方法，其中所述沉積過程包括第一沉積步驟、第一沉積步驟后的第二沉積步驟，和在所述第一沉積步驟和第二沉積步驟之間在所述腔室中保持大致恒定的壓力的一段時(shí)間。
[0018]該持續(xù)的時(shí)間段優(yōu)選地為至少一分鐘并優(yōu)選地在I分鐘至120分鐘的范圍內(nèi)，更優(yōu)選地在10分鐘至90分鐘的范圍內(nèi)。每個(gè)沉積步驟優(yōu)選包括多個(gè)連續(xù)的沉積循環(huán)。每個(gè)沉積步驟優(yōu)選地包括至少五十個(gè)沉積循環(huán)，并且至少一個(gè)沉積步驟可包括至少一百個(gè)沉積循環(huán)。在一個(gè)示例中，每個(gè)沉積步驟包括兩百個(gè)連續(xù)沉積循環(huán)。沉積步驟之間的延遲的持續(xù)時(shí)間優(yōu)選地長(zhǎng)于每個(gè)沉積循環(huán)的持續(xù)時(shí)間。每個(gè)沉積循環(huán)的持續(xù)時(shí)間優(yōu)選地在從40至50秒的范圍內(nèi)。
[0019]沉積步驟之間的延遲具有的持續(xù)時(shí)間長(zhǎng)于連續(xù)的沉積循環(huán)之間的任何延遲。優(yōu)選的是，連續(xù)的沉積循環(huán)之間基本沒有延遲，但是無(wú)論如何在沉積步驟之間中斷的引入是連續(xù)的沉積循環(huán)之間的任何延遲之外增加的。在連續(xù)的沉積循環(huán)之間存在持續(xù)任何時(shí)間的延遲的情形中，本發(fā)明可被認(rèn)為是在選擇的兩個(gè)沉積循環(huán)之間的延遲中選擇性的增加。
[0020]每個(gè)沉積循環(huán)優(yōu)選地開始于將前體供給到容納有基底的處理腔室。每個(gè)沉積循環(huán)優(yōu)選地終止于將凈化氣體供給到處理腔室。
[0021]每個(gè)沉積循環(huán)優(yōu)選地結(jié)束于將凈化氣體引入所述腔室中持續(xù)第二時(shí)間段，所述第二時(shí)間段所述第一沉積步驟與第二沉積步驟之間的持續(xù)時(shí)段短。這個(gè)選擇的沉積循環(huán)可發(fā)生在沉積過程的開始、沉積循環(huán)的結(jié)束或沉積過程的大致中間處。
[0022]在第四方面，本發(fā)明提供了一種將材料沉積在基底上的方法，其中多個(gè)原子層沉積循環(huán)在位于處理腔室中的基底上進(jìn)行以將涂層沉積到所述基底上，每個(gè)沉積循環(huán)包括順序地引入多個(gè)前體進(jìn)入所述腔室，以及在引入每個(gè)前體進(jìn)入所述腔室后，引入凈化氣體到所述腔室一段時(shí)間，并且其中，對(duì)于在最后的沉積循環(huán)前所選擇的一個(gè)沉積循環(huán)，凈化氣體在隨后的沉積循環(huán)的開始前被供給到所述腔室的持續(xù)時(shí)間段長(zhǎng)于每個(gè)其他沉積循環(huán)的這個(gè)時(shí)間段。對(duì)于所選擇的一個(gè)沉積循環(huán)，所述持續(xù)時(shí)間優(yōu)選地至少為一分鐘，并且優(yōu)選地在I至120分鐘的范圍內(nèi)。在沉積循環(huán)之間的所述時(shí)間段期間，凈化氣體在腔室中的壓力優(yōu)選地是充分的。
[0023]所述沉積循環(huán)的至少一個(gè)優(yōu)選地是等離子體增強(qiáng)原子層沉積循環(huán)。
[0024]優(yōu)選地，基底是結(jié)構(gòu)化的基底。例如，基底可包括多個(gè)碳納米管(CNT)，每個(gè)優(yōu)選地具有約50-60nm的直徑。結(jié)構(gòu)化的基底可被設(shè)置為整齊的陣列或設(shè)置為任意的陣列。替代地，基底可以是非結(jié)構(gòu)化的基底。
[0025]基底可包括硅或CNT。通過沉積過程形成的薄膜或涂層優(yōu)選地為金屬氧化物，例如氧化鉿或氧化鈦。
[0026]每個(gè)沉積循環(huán)優(yōu)選地包括以下步驟:(i)引入前體進(jìn)入處理腔室，(ii)使用凈化氣體凈化處理腔室，(iii)引入氧氣源作為第二前體進(jìn)入處理腔室，和(iv)使用凈化氣體凈化處理腔室。氧氣源可以是氧氣或者臭氧之一。凈化氣體可以是氬氣、氮?dú)饣蚝?。為了沉積氧化鉿，可使用燒基氨基鉿(alkylamino hafnium)化合物前體。每個(gè)沉積循環(huán)優(yōu)選地以相同的溫度在基底上進(jìn)行，所述溫度優(yōu)選地在從200至300°C的范圍內(nèi)，例如250°C。每個(gè)沉積步驟優(yōu)選地包括至少100個(gè)沉積循環(huán)。例如，每個(gè)沉積步驟可包括200個(gè)沉積循環(huán)以產(chǎn)生具有厚度在25至50nm范圍內(nèi)的氧化鉿涂層。當(dāng)沉積循環(huán)是等離子體增強(qiáng)沉積循環(huán)時(shí)，上述步驟(iii)還優(yōu)選地包括在氧化前體被供給到腔室前撞擊例如來(lái)自氬氣或從氬氣與一種或多種其他氣體(比如氮?dú)?、氧氣和氫?的混合氣體的等離子體。
[0027]已經(jīng)發(fā)現(xiàn)在ALD中引入中斷或延遲對(duì)于沉積的材料的電性能是有益的。被發(fā)現(xiàn)通過在ALD過程中引入中斷或延遲的意外的改善的電性能之一是氧化材料的介電常數(shù)。被改善的另一個(gè)電性能是被沉積的材料的泄漏電流。
[0028]沉積步驟可包括通過PEALD進(jìn)行的第一沉積步驟以及通過熱ALD進(jìn)行的第二沉積步驟。一些基底(比如CNT)對(duì)于這些材料來(lái)說是疏水的，因此對(duì)于至少一些循環(huán)使用具有氧氣前體的PEALD是優(yōu)選的。
[0029]本發(fā)明的第五方面提供了通過使用前述方法制得的具有涂層的基底。
[0030]本發(fā)明的第六方面提供了包括通過使用前述方法制得的具有涂層的基底的電容器。
[0031]上述與本發(fā)明的第一方面相關(guān)的特征描述同樣適用于本發(fā)明的第二到第六方面的每一個(gè)，反之亦然。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0032]本發(fā)明將以示例的方式參考附圖來(lái)進(jìn)行描述，其中:
[0033]圖1是氧化鉿的連續(xù)的和不連續(xù)的PEALD的介電常數(shù)與電壓的關(guān)系圖；
[0034]圖2是氧化鉿的連續(xù)的和不連續(xù)的PEALD的泄漏電流密度與電壓的關(guān)系圖；
[0035]圖3是使用替代的硅基底的氧化鉿的連續(xù)的和不連續(xù)的PEALD的介電常數(shù)與電壓的關(guān)系圖；
[0036]圖4是使用替代的硅基底的氧化鉿的連續(xù)的和不連續(xù)的熱ALD的介電常數(shù)與電壓的關(guān)系圖；
[0037]圖5是介電常數(shù)與電壓的關(guān)系圖，其示出了不同的中斷長(zhǎng)度對(duì)氧化鈦涂層的電容的影響；
[0038]圖6是氧化鈦涂層的耗散因子與電壓的關(guān)系圖；
[0039]圖7是泄漏電流密度與電壓的關(guān)系圖，以例示不同的中斷長(zhǎng)度對(duì)氧化鈦涂層的電容的影響；
[0040]圖8是不同二氧化鈦介電層的折射率與光子能量的關(guān)系圖；
[0041]圖9是鋁/氧化鉿/硅電容器的電容與電壓的關(guān)系圖，所述氧化鉿層通過PEALD
產(chǎn)生；
[0042]圖10是使用摻雜銻的硅基底的鋁/氧化鉿/硅電容器的電容與電壓的關(guān)系圖，所述氧化鉿層通過熱ALD產(chǎn)生；
[0043]圖1la是例示了氧化鉿涂層的相對(duì)電容率以延遲時(shí)間為函數(shù)的關(guān)系圖；
[0044]圖1lb是例示了氧化鉿涂層的固定電荷密度(Qf)以延遲時(shí)間為函數(shù)的關(guān)系圖；
[0045]圖1lc是例示了氧化鉿涂層的Ak和AQf的變化以延遲時(shí)間為函數(shù)的關(guān)系圖；
[0046]圖12示出了連續(xù)PEALD氧化鉿涂層的TEM圖像；
[0047]圖13a和13b以較高倍數(shù)示出了圖12的氧化鉿涂層；
[0048]圖14示出了具有60分鐘的延遲時(shí)間的不連續(xù)PEALD的氧化鉿涂層的TEM圖像；
[0049]圖15a和15b以較高倍數(shù)示出了圖14的氧化鉿涂層；
[0050]圖16以更高倍數(shù)示出了圖15的氧化鉿涂層；
[0051]圖17示出了 PEALD產(chǎn)生的氧化鉿涂層的泄漏電流密度與電場(chǎng)的關(guān)系圖，以例示不同的中斷長(zhǎng)度對(duì)氧化鉿涂層的泄漏電流密度的影響；
[0052]圖18示意性地示出了熱ALD過程的關(guān)系圖；和
[0053]圖19示意性地示出了 PEALD過程的關(guān)系圖。

【具體實(shí)施方式】
[0054]本發(fā)明使用原子層沉積過程以在基底上形成薄膜或涂層。以下示例描述了用于在基底上形成介電材料涂層的方法，其可以是在晶體管和電容器制造中使用的高k值介電材料。原子層沉積過程包括多個(gè)沉積循環(huán)。在本示例中，每個(gè)沉積循環(huán)是等離子體增強(qiáng)原子層沉積(PEALD)循環(huán)，其包括以下步驟:(i)引入前體至處理腔室，基底定位在該處理腔室中，
(ii)使用凈化氣體凈化腔室以將任何多余的前體從腔室中移除，(iii)撞擊腔室中的等離子體，并且將氧化前體供給到腔室以與基底的表面上吸收的前體反應(yīng)從而在基底上形成原子層，和(iv)用凈化氣體凈化腔室以將任何多余的氧化前體從腔室移除。
[0055]圖1、2和3是例示了隨著兩個(gè)氧化鉿涂層分別的介電常數(shù)和泄漏電流密度隨著電壓的變化，每個(gè)氧化鉿涂層通過使用PEALD被沉積到各自的硅基底上。
[0056]每個(gè)PEALD過程通過使用Cambridge Nanotech Fiji 200等離子體ALD系統(tǒng)進(jìn)行。還參考附圖19，基底被置于ALD系統(tǒng)的處理腔室中，該腔室在沉積過程期間被抽真空700至0.3至0.5mbar的范圍內(nèi)的壓力，并且基底在沉積過程期間被保持在約250°C的溫度下。氬氣被選擇為預(yù)處理氣體，并且在第一沉積循環(huán)開始前以200Sccm的流率被供給到腔室710至少30秒時(shí)間段。
[0057]每個(gè)沉積循環(huán)以將鉿前體供給到沉積腔室720、720a開始。鉿前體是四二甲氨基鉿(TDMAHf，Hf(N(CH3)2)4)。鉿前體被添加到凈化氣體0.25秒的時(shí)間段。在將鉿前體引入腔室后，氬氣流又凈化(730、730a)5秒鐘以將任何多余的鉿前體移出腔室。然后，等離子體通過使用氬氣凈化氣體而被撞擊(740、740a)。等離子體功率水平為300W。等離子體在氧氣被以20SCCm的流率供給(750、750a)到等離子體持續(xù)20秒鐘前被穩(wěn)定5秒鐘。等離子體功率被關(guān)閉然后氧氣流動(dòng)停止，并且氬氣流又凈化5秒鐘(760、760a)以將任何多余的氧化前體從腔室移除，并且結(jié)束沉積循環(huán)。
[0058]每個(gè)涂層都通過使用不同的各自的沉積過程形成。第一沉積過程是標(biāo)準(zhǔn)PEALD過程，該過程包括400個(gè)連續(xù)的沉積循環(huán)，且在一個(gè)沉積循環(huán)的結(jié)束和下一個(gè)沉積循環(huán)的開始之間基本沒有延遲。第二沉積過程是不連續(xù)的PEALD過程，包括第一沉積步驟、第二沉積步驟和第一沉積步驟與第二沉積步驟之間的延遲。第一沉積步驟包括200個(gè)連續(xù)沉積循環(huán)，并且在一次沉積循環(huán)的結(jié)束和下一次沉積循環(huán)的開始之間基本沒有延遲。第二沉積步驟包括另外200個(gè)連續(xù)沉積循環(huán)，并且在一次沉積循環(huán)的結(jié)束和下一次沉積循環(huán)的開始之間基本沒有延遲。第一沉積步驟的最后的沉積循環(huán)的結(jié)束775與第二沉積步驟的第一沉積循環(huán)的開始780之間的延遲為30分鐘。在延遲期間，腔室中的壓力被保持710a在0.3至0.5mbar的范圍內(nèi)，基底被保持在約250°C的溫度下，氬氣凈化氣體被以200sCCm的流率持續(xù)地傳送到腔室。沉積步驟之間的延遲還可被認(rèn)為是在選擇的沉積循環(huán)的結(jié)束時(shí)凈化氣體被供給到腔室的時(shí)間段的增加。兩個(gè)沉積過程所產(chǎn)生的涂層的厚度為約36nm。
[0059]參見圖1，對(duì)于標(biāo)準(zhǔn)PEALD過程，介電常數(shù)隨著電壓的變化被示出為10，而對(duì)于不連續(xù)的PEALD過程，介電常數(shù)隨著電壓的變化被示出為20。不連續(xù)的過程產(chǎn)生的涂層在2V所具有的介電常數(shù)的值為26。用于這些示例的硅基底是摻雜砷的硅晶片并且其電阻率為0.005ohm cm。
[0060]圖2例示了對(duì)于相同的氧化鉿涂層，泄漏電流密度隨著電壓的變化。通過使用連續(xù)的過程形成的涂層的泄漏電流密度的變化被標(biāo)明為110，而使用非連續(xù)的過程形成的涂層的泄漏電流密度的變化被標(biāo)明為120。通過使用傳統(tǒng)的連續(xù)的過程形成的涂層的泄漏電流比通過使用非連續(xù)的過程形成的涂層的泄漏電流低。
[0061]圖3示出了不同的延遲持續(xù)時(shí)間對(duì)在與圖1和2中使用的不同的硅基底上的氧化鉿涂層的介電常數(shù)的影響。在本示例中，硅是摻雜銻的硅晶片并且具有0.1ohm cm的電阻率。PEALD過程在與圖1和2相同的條件下實(shí)現(xiàn)，但除了連續(xù)過程35和具有三十分鐘的延遲55的實(shí)驗(yàn)以外，另外的實(shí)驗(yàn)在200個(gè)循環(huán)后具有一分鐘45和六十分鐘65的延遲的條件下實(shí)現(xiàn)。由于這更優(yōu)化的硅基底，具有延遲的基底在-2v與+2v之間的介電常數(shù)一致地比連續(xù)或標(biāo)準(zhǔn)過程的介電常數(shù)高。改善隨著延遲時(shí)間而增加，然而，這種益處是非線性的。因此，在2v時(shí)，連續(xù)過程產(chǎn)生具有介電常數(shù)為23的涂層；一分鐘的延遲產(chǎn)生具有約24的介電常數(shù)的涂層；30分鐘的延遲產(chǎn)生具有介電常數(shù)為27的涂層；且六十分鐘的延遲產(chǎn)生介電常數(shù)約28的涂層。
[0062]圖4是例示了通過熱ALD沉積在摻雜銻的硅基底上的氧化鉿涂層的介電常數(shù)隨著電壓的變化的關(guān)系圖。
[0063]每個(gè)熱ALD過程通過使用Cambridge Nanotech Fiji 200等離子體ALD系統(tǒng)進(jìn)行?，F(xiàn)在參考附圖18，基底被置于ALD系統(tǒng)的處理腔室中，該腔室在沉積過程期間被抽真空600至0.3至0.5mbar的范圍內(nèi)的壓力，并且基底在沉積過程期間被保持在約250°C的溫度下。氬氣被選擇為預(yù)處理氣體，并且在第一沉積循環(huán)開始前以200Sccm的流率被供給到腔室610至少30秒時(shí)間段。
[0064]每個(gè)沉積循環(huán)以將鉿前體供給到沉積腔室620、620a、620b開始。鉿前體是四二甲氨基鉿(TDMAHf，Hf(N(CH3)2)4)。鉿前體被添加到凈化氣體0.25秒的時(shí)間段。在將鉿前體引入腔室后，氬氣流又凈化^30、630a、630b)5秒鐘以將任何多余的鉿前體移出腔室。然后，第二前體，水被引入640、640a、640b腔室中0.06秒。然后，氬氣流又凈化^50、650a、650b) 5秒鐘以將任何多余的氧化前體從腔室移除，并且結(jié)束沉積循環(huán)。
[0065]每個(gè)涂層都通過使用不同的各自的沉積過程形成?，F(xiàn)在參見圖4和18，第一沉積過程是標(biāo)準(zhǔn)熱ALD過程135，其包括400個(gè)連續(xù)沉積循環(huán)，且在一個(gè)沉積循環(huán)的結(jié)束與下一個(gè)沉積循環(huán)開始之間基本沒有延遲。第二沉積過程是不連續(xù)的熱ALD過程，包括第一沉積步驟、第二沉積步驟和第一沉積步驟與第二沉積步驟之間的延遲。第一沉積步驟包括200個(gè)連續(xù)沉積循環(huán)，并且在一次沉積循環(huán)的結(jié)束和下一次沉積循環(huán)的開始之間基本沒有延遲。第二沉積步驟包括另外200個(gè)連續(xù)沉積循環(huán)，并且在一次沉積循環(huán)的結(jié)束和下一次沉積循環(huán)的開始之間同樣基本沒有延遲。第一沉積步驟的最后的沉積循環(huán)670與第二沉積步驟的第一沉積循環(huán)的開始680之間的延遲是1、30和60分鐘的一個(gè)。在延遲期間，腔室中的壓力被保持610a在0.3至0.5mbar的范圍內(nèi)，基底被保持在約250°C的溫度下，氬氣凈化氣體被以200sCCm的流率持續(xù)地傳送到腔室。沉積步驟之間的延遲還可被認(rèn)為是在選擇的沉積循環(huán)的結(jié)束時(shí)凈化氣體被供給到腔室的時(shí)間段的增加。兩個(gè)沉積過程所產(chǎn)生的涂層的厚度為約36nm。
[0066]參見圖18，第一沉積步驟的倒數(shù)第二個(gè)沉積循環(huán)620、630、640、650后直接接著第一沉積步驟的最后的沉積循環(huán)620a、630a、640a、650a。然后，延遲670至680被引入第一和第二沉積步驟之間，根據(jù)本發(fā)明，該延遲優(yōu)選地為I至120分鐘之間的任何值，并且然后第二沉積步驟的第一循環(huán)620b、630b、640b、650b開始。
[0067]圖4的關(guān)系圖示出了在-2v和+2v之間具有延遲的涂層的介電常數(shù)一致地比連續(xù)或標(biāo)準(zhǔn)過程的介電常數(shù)高。改善隨著延遲時(shí)間而增加，然而，這種益處是非線性的。因此，在2v時(shí)，連續(xù)過程產(chǎn)生具有介電常數(shù)為22的涂層；一分鐘的延遲產(chǎn)生具有約25的介電常數(shù)的涂層；三十分鐘的延遲產(chǎn)生具有介電常數(shù)為約28的涂層；且六十分鐘的延遲產(chǎn)生介電常數(shù)為29的涂層。
[0068]當(dāng)中斷被引入ALD過程時(shí)，在摻雜銻的硅基底上產(chǎn)生的熱ALD氧化鉿涂層和PEALD氧化鉿涂層都示出了相似的介電常數(shù)的改善。熱ALD具有稍短的循環(huán)時(shí)間，因?yàn)槠錄]有等離子體階段，所以對(duì)于給定的延遲時(shí)間來(lái)說，熱ALD是更經(jīng)濟(jì)的過程。
[0069]圖5示出了不同的延遲時(shí)間段對(duì)硅基底上氧化鈦涂層的介電常數(shù)的影響。用于形成氧化鈦涂層的沉積循環(huán)與上述的相同，除了鉿前體被異丙氧化鈦(titaniumisopropoxide)前體替代。
[0070]四個(gè)二氧化鈦涂層形成在各自的硅基底表面上，每個(gè)使用各種不同的沉積過程。第一沉積過程是包括400個(gè)連續(xù)沉積循環(huán)的標(biāo)準(zhǔn)PEALD過程，其中一個(gè)沉積循環(huán)的結(jié)束和下一個(gè)沉積循環(huán)的開始之間基本沒有延遲，并且最終的涂層的介電常數(shù)隨著電壓的變化在圖3中表示為30。第二沉積過程是不連續(xù)的PEALD過程，包括第一沉積步驟、第二沉積步驟和第一沉積步驟與第二沉積步驟之間的延遲。第一沉積步驟包括200個(gè)連續(xù)沉積循環(huán)，并且在一次沉積循環(huán)的結(jié)束和下一次沉積循環(huán)的開始之間基本沒有延遲。第二沉積步驟包括另外200個(gè)連續(xù)沉積循環(huán)，并且在一次沉積循環(huán)的結(jié)束和下一次沉積循環(huán)的開始之間同樣基本沒有延遲。第一沉積步驟的最后的沉積循環(huán)和第二沉積步驟的第一沉積循環(huán)之間的延遲為10分鐘。在延遲期間，腔室中的壓力被保持在0.3至0.5mbar的范圍內(nèi)，基底被保持在約250°C的溫度下，氬氣凈化氣體被以200sCCm的流率持續(xù)地傳送到腔室。最終的涂層的介電常數(shù)隨著電壓的變化在圖3中表示為40。第三沉積過程與第二沉積過程相似，但是具有30分鐘的延遲，其最終的涂層的介電常數(shù)隨著電壓的變化在圖3中表示為50。第四沉積過程與第二沉積過程相似，但是具有60分鐘的延遲，其最終的涂層的介電常數(shù)隨著電壓的變化在圖3中表示為60。在負(fù)電壓下，不連續(xù)過程的圖非常相似，介電常數(shù)高于連續(xù)沉積過程在零電壓處的介電常數(shù)。在正電壓下，通過第二沉積過程產(chǎn)生的涂層具有最高的介電常數(shù)。
[0071]圖6示出了這四個(gè)氧化鈦涂層的耗散系數(shù)隨著電壓的變化。通過第一到第四沉積過程產(chǎn)生的涂層的耗散系數(shù)隨著電壓的變化在圖6中被分別標(biāo)為130、140、150和160。在負(fù)電壓下，使用標(biāo)準(zhǔn)沉積過程產(chǎn)生的涂層被觀察到了更低的耗散系數(shù)。
[0072]研究了 PEALD和熱ALD氧化鉿涂層的耗散系數(shù)的變化。在兩種情況下，耗散系數(shù)接近零，在-2v至+2v的電壓范圍內(nèi)小于0.1。該更低的值室是由于氧化鉿具有非常地的泄漏電流，所以接近完全介電且接近完全的電容器行為。
[0073]圖7示出了這四個(gè)氧化鈦涂層的泄漏電流密度隨著電壓的變化。通過第一到第四沉積過程產(chǎn)生的涂層的耗散系數(shù)隨著電壓的變化在圖7中被分別標(biāo)為230、240、250和260。在負(fù)電壓下，使用連續(xù)的第一沉積過程產(chǎn)生的涂層被觀察到了最低的泄漏電流密度。
[0074]圖8示出了通過使用光譜橢圓對(duì)稱法測(cè)量四個(gè)氧化鈦涂層的折射率。對(duì)于T12已知的是，在外延銳鈦礦相中，在超過帶隙能(?3eV)后在高能區(qū)域中(橢圓對(duì)稱法中)可看到明顯的兩個(gè)峰值特征(通常在半導(dǎo)Ga混合物中觀察到的)。這兩個(gè)峰值特征的原因是由于外延銳鈦礦膜的密集的精細(xì)的晶度。通過使用不連續(xù)的第二到第四沉積過程形成的涂層的折射率(分別標(biāo)為340、350和360)示出了兩個(gè)峰值特征，而通過使用連續(xù)的第一沉積過程形成的涂層的折射率(標(biāo)為330)僅示出了一個(gè)峰值。
[0075]圖9示出了四種不同的鋁/氧化鉿/硅電容器的電容隨著電壓的變化。每個(gè)金屬-絕緣體-半導(dǎo)體(Al/HfO2/n-Si)電容器結(jié)構(gòu)通過將鋁點(diǎn)施加到涂覆有PEALD氧化鉿的摻雜銻的硅基底來(lái)制得。該鋁點(diǎn)的直徑為0.5_并且通過鋁的蒸發(fā)制得。四種涂覆有氧化鉿的硅基底通過四種不同的沉積過程形成。第一氧化鉿涂覆的硅基底通過使用上文中相對(duì)于圖1至3描述的第一氧化鉿沉積過程形成，通過使用該被涂覆的基底形成的電容器的電容隨著電壓的變化在圖9中標(biāo)為430。第二氧化鉿涂覆的硅基底通過使用上文所述的第二氧化鉿沉積過程形成，但是具有I分鐘而非10分鐘的延遲。通過該被涂覆的基底形成的電容器的電容隨著電壓的變化在圖9中被標(biāo)為440。第三氧化鉿涂覆的硅基底通過使用上文所述的第二氧化鉿沉積過程形成，但是具有30分鐘而非10分鐘的延遲。通過該被涂覆的基底形成的電容器的電容隨著電壓的變化在圖9中被標(biāo)為450。第四氧化鉿涂覆的硅基底通過使用上文所述的第二氧化鉿沉積過程形成，但是具有60分鐘而非10分鐘的延遲。通過該被涂覆的基底形成的電容器的電容隨著電壓的變化在圖9中被標(biāo)為460。該圖表明四個(gè)涂層的電容電壓特征具有很小的滯后現(xiàn)象并且在沉積步驟之間的延遲的存在提供了電容器的電容的增加。電容的增加在使用第四沉積過程形成的涂層時(shí)最大，但電容的變化隨著延遲的增大而變小。
[0076]圖10是使用摻雜銻的硅基底的鋁/氧化鉿/硅電容器的電容與電壓的圖。
[0077]每種金屬-絕緣體-半導(dǎo)體(Al/Hf02/n-Si)電容器結(jié)構(gòu)通過將鋁點(diǎn)施加到熱ALD產(chǎn)生的氧化鉿涂層的摻雜銻的硅基底來(lái)制得。該鋁點(diǎn)的直徑為0.5_并且通過鋁的蒸發(fā)制得。四種涂覆有氧化鉿的硅基底通過四種不同的沉積過程形成。第一氧化鉿涂覆的硅基底通過使用上文中相對(duì)于圖4描述的第一氧化鉿沉積過程形成，通過使用該被涂覆的基底形成的電容器的電容隨著電壓的變化在圖10中標(biāo)為435。第二氧化鉿涂覆的硅基底通過使用上文所述的第二氧化鉿沉積過程形成，但是具有I分鐘而非10分鐘的延遲。通過該被涂覆的基底形成的電容器的電容隨著電壓的變化在圖10中被標(biāo)為445。第三氧化鉿涂覆的硅基底通過使用上文所述的第二氧化鉿沉積過程形成，但是具有30分鐘而非10分鐘的延遲。通過該被涂覆的基底形成的電容器的電容隨著電壓的變化在圖10中被標(biāo)為455。第四氧化鉿涂覆的硅基底通過使用上文所述的第二氧化鉿沉積過程形成，但是具有60分鐘而非10分鐘的延遲。通過該被涂覆的基底形成的電容器的電容隨著電壓的變化在圖10中被標(biāo)為465。該圖表明四個(gè)涂層的電容電壓特征具有很小的滯后現(xiàn)象并且在沉積步驟之間的延遲的存在提供了電容器的電容的增加。電容的增加在使用第四沉積過程形成的涂層時(shí)最大，但電容的變化隨著延遲的增大而變小。
[0078]圖1la示出了關(guān)于圖9描述的(即通過PEALD氧化鉿涂層形成的)四個(gè)電容器的相對(duì)電容率以延遲時(shí)間為函數(shù)的關(guān)系圖。相對(duì)電容率的值從C-V曲線的累積區(qū)域提取。相對(duì)電容率隨著延遲時(shí)間的增加而增加。對(duì)通過使用熱ALD涂覆的氧化鉿制得的電容器也進(jìn)行相同的提取，并且看到類似的關(guān)系圖。圖1lb示出了四個(gè)電容器的固定電荷密度(Qf)以延遲時(shí)間作為函數(shù)的關(guān)系圖。在沉積過程中的延遲期間，考慮了能夠在第200個(gè)單層上形成氧空位(或缺陷)(因?yàn)镠fO2涂層暴露于氬氣一段時(shí)間)并且這增加了固定電荷密度。當(dāng)引入延遲時(shí)，通過熱ALD涂覆的氧化鉿產(chǎn)生的電容器同樣示出了固定電荷密度中相似的增加。圖1lc示出了四個(gè)不同的電容器的以延遲時(shí)間為函數(shù)的Ak( = kdelay-kcont1.)和AQf( = Qfdelay-Qfcont1.)的關(guān)系圖。雖然產(chǎn)生了一些結(jié)構(gòu)缺陷，在每個(gè)沉積步驟期間形成的200層HfO2之間的界面態(tài)密度可比HfO2與硅之間的界面狀態(tài)密度小。這可導(dǎo)致HfO2涂層中的微觀結(jié)構(gòu)改變并且產(chǎn)生更高的HfO2電容率。
[0079]接下來(lái)的幾幅圖示出了不同的氧化鉿涂層的TEM圖像。所有的圖像都通過使用掃描透射式電子顯微鏡高環(huán)形暗區(qū)成像(STEM-HAADF)獲得，其中小的探針對(duì)樣本進(jìn)行光柵掃描并且從樣本發(fā)出的電子輻射在與遠(yuǎn)場(chǎng)(Fraunhofer衍射面)中的小的立體角上被收集。圖像亮度隨著樣本厚度、原子數(shù)量或密度而增加。兩個(gè)顯微鏡被用于該研究。FEITitan3在300kV下操作并且形成透鏡的探針中的偏差矯正器允許18毫度的照明角度，給出0.7埃大小的(限制衍射的)探針尺寸。然而，由于有限的探針電流(80pA)，這增加到約0.92埃。這里的測(cè)量指示向外傳遞到1.02埃，S卩比預(yù)期的大約10%。最終，非偏差校正的STEM (FEI Tecnai F20ST)被用于能量分散X光映像。此處的探針尺寸要大得多:在1.3nA的探針電流時(shí)為約lnm。
[0080]為了準(zhǔn)備膜的橫截面，使用了聚焦離子束顯微鏡FEI Quanta單光束。來(lái)自連續(xù)生長(zhǎng)的PEALD氧化鉿薄膜薄片(圖12和13)以及來(lái)自間斷的PEALD序列和六十分鐘的延遲的具有更高介電常數(shù)(k)的另一個(gè)薄片(圖14、15和16)，樣本通過Ga離子束碾磨并且精細(xì)拋光而獲得。這些界面被磨薄直到它們對(duì)于電子束來(lái)說是透明的。兩個(gè)提升的膜一起出現(xiàn)在相同的Omnip1be TEM支撐“柵格”上，其允許兩個(gè)樣本被研究而不改變樣本，即改變真空和電子光學(xué)條件。
[0081]兩個(gè)樣本均約1um寬并且最終被磨薄以提供電子透明區(qū)域。兩個(gè)膜均被傾斜從而硅基底能夠沿著[110]方向定向。所有STEM成像基于氧化鉿的生長(zhǎng)平面是(OOl)si的假設(shè)的這種條件下進(jìn)行。
[0082]圖12示出了具有鉬頂涂層520的硅基底500上的連續(xù)的PEALD氧化鉿涂層510的TEM圖像。氧化鉿膜510是適度地平坦的并且相比之下是均勻的。氧化鉿膜厚度為約36nm且在S1-HfO2界面處具有少量的界面粗糙度以及更粗糙的HfO2-Pt界面。后者的薄的暗線表示跨該邊界沒有明顯的熔合或擴(kuò)散。
[0083]圖13a和13b以較高倍數(shù)示出了圖12的氧化鉿涂層510。總的來(lái)說，氧化鉿膜是多晶的且具有大的晶粒尺寸(10-30nm)，其與一些表示非結(jié)晶層的任意對(duì)比共存(可能由于FIB碾磨)。一些晶粒適于被朝著在每個(gè)晶粒內(nèi)提供排列晶格對(duì)比的電子束取向。晶格的能見度的暴跌與顆粒狀的膜一致。
[0084]圖14示出了在具有鉬頂涂層525的硅基底505上具有60分鐘的延遲的不連續(xù)的PEALD氧化鉿涂層515的TEM圖像。氧化鉿膜厚度再次為約36nm。在這個(gè)樣本中最明顯的區(qū)別是與S1-HfO2界面相隔20至25nm的略暗的外觀。該暗的區(qū)域550是薄的暗帶，其跨過所述膜是不一致的。在一些位置變暗效果很強(qiáng)，在其他位置又沒這么強(qiáng)。沒有看到第二相，即，沉淀，空位或孔均不會(huì)在解析材料中出現(xiàn)。延遲中斷或介入連續(xù)的生長(zhǎng)并且在晶體結(jié)構(gòu)中引入少量的無(wú)序，如TEM圖像中看見的暗帶550所示。
[0085]圖15a和15b以較高倍數(shù)示出了圖14的氧化鉿涂層。晶粒大小類似于EPALD氧化鉿膜的大小，S卩10-30nm。
[0086]圖16以甚至更高的倍數(shù)示出了圖14的氧化鉿涂層，示出了暗灰?guī)?50。暗灰?guī)П硎玖舜嬖诟嗟暮笙蛏⑸?，由此在這個(gè)區(qū)域中更少的傳播，這是由晶體無(wú)序造成的，這種無(wú)序是由于在PEALD過程的第200個(gè)循環(huán)或一半時(shí)的中斷或延遲而形成的。
[0087]圖17示出了 PEALD產(chǎn)生的氧化鉿涂層的泄漏電流密度與電場(chǎng)的關(guān)系圖，以例示不同的中斷長(zhǎng)度對(duì)氧化鉿涂層的泄漏電流密度的影響。四個(gè)不同的過程在關(guān)于圖1至3所述的條件下進(jìn)行。第一連續(xù)過程235，具有一分鐘的延遲的一個(gè)過程245、具有三十分鐘的延遲的另一個(gè)過程255,并且具有六十分鐘的延遲的最后一個(gè)過程265。每個(gè)延遲均在200個(gè)循環(huán)之后進(jìn)行。從圖中可以看出，這些曲線之間的差別非常小。這意味著介電常數(shù)的增加并不是由于每個(gè)涂層的泄漏電流密度的不同。因此，當(dāng)引入延遲或中斷時(shí)發(fā)現(xiàn)的提高完全是由于在延遲期間發(fā)生的涂層的結(jié)構(gòu)改變。這種結(jié)構(gòu)改變能夠通過暗灰?guī)?50觀察到。
[0088]基于以上所述的TEM分析，連續(xù)和中斷的膜之間的晶度沒有明顯的改變。兩個(gè)膜的厚度沒有明顯的區(qū)別。然而，中斷的膜比連續(xù)沉積的膜稍微粗糙。更重要地，在STEM ADF中獲得的中斷的膜具有朝向中心的暗帶。這些暗帶能夠表示這些膜在該區(qū)域中沒那么密集或者表示該區(qū)域中的化學(xué)組成具有更高比例的低原子數(shù)(Z)元素。更有可能是鉿具有更多的點(diǎn)缺陷(Hf或O位置的空位)。建議的是，氧化鉿膜在中斷(中止ALD循環(huán))期間在其結(jié)構(gòu)中結(jié)合了空位。更高的k值可能是由于在膜的中點(diǎn)區(qū)域(暗帶可見的區(qū)域)這些點(diǎn)缺陷中極化中心的增加。
[0089]總的來(lái)說，已知的是，相比于在單斜結(jié)構(gòu)(k?20) ,HfO2展現(xiàn)了在立方體結(jié)構(gòu)中更高的介電常數(shù)(k?29)或在四角形結(jié)構(gòu)中更高的介電常數(shù)(k?70)。HfO2的立方體相和四角形相是亞穩(wěn)的，并且通常需要高的溫度(?2700°C)以實(shí)現(xiàn)從單斜相到四角形相或從四角形相到立方體相的轉(zhuǎn)變。然而，HfO2的立方體相和四角形相能夠通過添加稀土材料而被穩(wěn)定。例如，摻雜Ce的HfO2顯示了穩(wěn)定的立方體相或四角形相，并且介電常數(shù)為32[P.R.Chalker et al.，Appl.Phys.Lett.93，182911 (2008)]。同時(shí)，如上所述，ALD 過程中非常簡(jiǎn)單的改變能夠像摻雜技術(shù)那樣多地提高介電常數(shù)。電結(jié)果顯示，中斷的膜的介電常數(shù)(其值為約30)高于k值為20的連續(xù)沉積的膜至少50%。兩個(gè)膜的泄漏電流具有相同量級(jí)(10-8A/cm2)。進(jìn)行如透射電子顯微鏡和X光分析的物理特征技術(shù)以理解兩種類型的膜的性質(zhì)的改變的原因。高分辨率TEM在對(duì)應(yīng)于過程的中斷的膜的中間顯示暗帶。EDX分析在中點(diǎn)區(qū)域顯示Ga信號(hào)的峰值，這意味著到空位的擴(kuò)散。因此，這些帶被歸咎于在中斷期間由于退火而造成的缺陷和形態(tài)改變。X光分析沒有顯示任何高k值立方體相的出現(xiàn)，因?yàn)閮蓚€(gè)膜都是單斜的。因此，在中斷的膜中與非均勻性相關(guān)的空位可能是介電常數(shù)通過增加的極化中心提高的原因。
[0090]因此，在ALD (熱ALD和等離子體增強(qiáng)ALD兩者)過程中的沉積循環(huán)之間增加延遲導(dǎo)致具有相比于傳統(tǒng)的ALD形成的氧化物而言具有更高的介電常數(shù)的高質(zhì)量的氧化物的形成。
【權(quán)利要求】
1.一種通過使用原子層沉積過程將材料沉積到基底上的方法，其中所述沉積過程包括第一沉積步驟、第一沉積步驟后的第二沉積步驟和在所述第一沉積步驟和第二沉積步驟之間的延遲。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述延遲持續(xù)至少一分鐘的時(shí)段。
3.如權(quán)利要求1或2所述的方法，其中所述延遲通過在所述基底所處的處理腔室中保持恒定的壓力而引入到所述沉積過程中。
4.一種在腔室中通過使用原子層沉積過程將材料沉積到基底上的方法，其中所述沉積過程包括第一沉積步驟、第一沉積步驟后的第二沉積步驟，和在所述第一沉積步驟和第二沉積步驟之間在所述腔室中保持大致恒定的壓力的一時(shí)間段。
5.如權(quán)利要求3或4所述的方法，其中所述大致恒定的壓力通過在所述腔室中保持恒定的氬氣流而被保持。
6.如權(quán)利要求4所述的方法，其中所述時(shí)間段為至少一分鐘。
7.如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其中所述時(shí)間段在從1到120分鐘的范圍內(nèi)。
8.如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其中所述時(shí)間段在從10到90分鐘的范圍內(nèi)。
9.如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其中每個(gè)沉積步驟包括多個(gè)沉積循環(huán)。
10.如權(quán)利要求9所述的方法，其中每個(gè)所述沉積步驟包括至少五十個(gè)沉積循環(huán)。
11.如權(quán)利要求9或10所述的方法，其中沉積步驟中的至少一個(gè)包括至少一百個(gè)沉積循環(huán)。
12.如權(quán)利要求9-11中任一項(xiàng)所述的方法，其中每個(gè)沉積循環(huán)開始于將用于在所述基底上形成材料的前體引入到容納該基底的腔室中。
13.如權(quán)利要求12所述的方法，其中每個(gè)沉積循環(huán)結(jié)束于將凈化氣體引入所述腔室中持續(xù)第二時(shí)間段，所述第二時(shí)間段比所述第一沉積步驟與第二沉積步驟之間的持續(xù)時(shí)間段短。
14.一種將材料沉積在基底上的方法，其中多個(gè)原子層沉積循環(huán)在位于處理腔室中的基底上進(jìn)行以將涂層沉積到所述基底上，每個(gè)沉積循環(huán)包括順序地引入多個(gè)前體進(jìn)入所述腔室，以及在引入每個(gè)前體進(jìn)入所述腔室后，引入凈化氣體到所述腔室一時(shí)間段，并且其中，對(duì)于在最后的沉積循環(huán)前進(jìn)行的所選擇的一個(gè)沉積循環(huán)，凈化氣體在隨后的沉積循環(huán)的開始前被供給到所述腔室的持續(xù)時(shí)間段長(zhǎng)于每個(gè)其他沉積循環(huán)的這個(gè)持續(xù)時(shí)間段。
15.如權(quán)利要求14所述的方法，其中對(duì)于所選擇的一個(gè)沉積循環(huán)，所述持續(xù)時(shí)間段為至少一分鐘。
16.如權(quán)利要求14或15所述的方法，其中對(duì)于所選擇的一個(gè)沉積循環(huán)，所述持續(xù)時(shí)間段在1至120分鐘的范圍內(nèi)。
17.如權(quán)利要求14到16中任一項(xiàng)所述的方法，其中所選擇的一個(gè)沉積循環(huán)大致發(fā)生在所述沉積過程的中點(diǎn)處。
18.如權(quán)利要求9到17中任一項(xiàng)所述的方法，其中所述沉積循環(huán)中的至少一個(gè)為等離子體增強(qiáng)原子層沉積循環(huán)。
19.如權(quán)利要求9到18中任一項(xiàng)所述的方法，其中每一個(gè)沉積循環(huán)為等離子體增強(qiáng)原子層沉積循環(huán)。
20.如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其中基底為結(jié)構(gòu)化基底。
21.如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其中所述基底包括多個(gè)碳納米管。
22.如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其中所述涂層包括介電材料。
23.如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其中所述涂層包括金屬氧化物。
24.如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其中所述涂層包括氧化鉿和氧化鈦中的一種。
25.一種帶涂層的基底，通過使用如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法制成。
26.一種電容器，包括通過使用如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法制成的帶涂層的基底。
27.一種帶涂層的基底，如說明書參考附圖14-16所描述。
【文檔編號(hào)】C23C16/40GK104379807SQ201380029364
【公開日】2015年2月25日 申請(qǐng)日期:2013年4月3日 優(yōu)先權(quán)日:2012年4月5日
【發(fā)明者】G.阿馬拉藤加, Y.喬伊, S.希瓦雷迪, N.布朗, C.科利斯 申請(qǐng)人:戴森技術(shù)有限公司