技術(shù)編號(hào):3298147
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種。該包括步驟一為在硒氣氛中,共蒸鎵和銦,使硒、鎵和銦沉積于襯底上;步驟二為提高襯底溫度,在硒氣氛中,蒸發(fā)銅,使硒和銅沉積于襯底上;步驟三為保持襯底溫度,在硒氣氛中,共蒸鎵和銦,形成銅銦鎵硒薄膜。步驟一與步驟三的共蒸時(shí)間的比值為51~71。通過提高熱鎵和銦的蒸發(fā)溫度加速薄膜沉積,設(shè)置步驟一和步驟三的蒸發(fā)量之間的配比關(guān)系,使銦更多地進(jìn)入薄膜內(nèi)部并增加薄膜表面的鎵含量,顯著地改善各元素的梯度分布,減少銅銦鎵硒薄膜表面缺陷,提高銅銦鎵硒薄膜的質(zhì)量并降...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。