技術編號：3295804
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種。該埋入式薄膜電阻材料按原子百分比計，包括鎳50～76%、鉻10～18%、碳10～30%和鎢0.5～5%。通過磁控濺射技術把鎳、鉻、碳和鎢原子沉積于銅箔襯底上得到鎳鉻碳鎢薄膜，經(jīng)實驗表明，使用該鎳鉻碳鎢薄膜的埋入式薄膜電阻器件的電性能較穩(wěn)定，方阻值較高。專利說明[0001]本發(fā)明涉及電子材料與電子元器件，特別是涉及一種。背景技術[0002]電子元器件高性能、小型化的發(fā)展趨勢，要求印刷電路板單位面積貼裝的電子元器件數(shù)量不斷增加，造成印刷電路板表...
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