技術(shù)編號(hào):3290761
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于第三代太陽(yáng)能電池,特別涉及一種嵌入在非晶碳化硅中具有 多帶特征的硅量子點(diǎn)薄膜的制備方法。背景技術(shù)能源危機(jī)成為未來(lái)世界各國(guó)經(jīng)濟(jì)發(fā)展將面臨的主要制約因素之一。太陽(yáng)能作為最 清潔的可再生能源無(wú)疑成為研究者倍加關(guān)注的焦點(diǎn)。第三代太陽(yáng)能的目標(biāo)是在第二代薄 膜太陽(yáng)能電池的基礎(chǔ)上縮減成本并顯著提高光伏器件的光電轉(zhuǎn)換效率。目前,材料單帶隙 S10Ckley-Queisser極限是制約太陽(yáng)能電池光吸收效率的主要難題,研究具有多帶隙特征 的光吸收材料成為當(dāng)務(wù)之急。盡...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。