技術(shù)編號：3280922
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及用于金屬氧化物層或膜沉積的前體、生產(chǎn)這種前體的方法以及使用這種前體沉積金屬氧化物層或膜的方法。本發(fā)明特別(但不僅僅)涉及用于通過化學汽相沉積形成氧化鐠及其它鑭系元素(稀土)金屬氧化物的前體。稀土氧化物M2O3(M＝Pr、La、Gd、Nd)是優(yōu)良的絕緣體，因為其具有寬的帶隙(例如Pr2O3為3.9eV，Gd2O3為5.6eV)，它們具有高介電常數(shù)(Gd2O3κ＝16、La2O3κ＝27、Pr2O3κ＝26-30)并且在硅上具有比ZrO2和HfO2更...
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