技術(shù)編號(hào)：3279858
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及自旋電子學(xué)領(lǐng)域，特別是一種具有大磁電阻效應(yīng)的GdN (氮化釓)薄膜及制備方法。背景技術(shù)近年來(lái)，由于在磁信息存儲(chǔ)和讀取方面的巨大應(yīng)用前景，自旋電子學(xué)材料備受關(guān)注。2007年，諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)授予了自旋電子學(xué)的開創(chuàng)者Albert Fert和Peter Griinberg兩位教授。磁電阻效應(yīng)，如巨磁電阻效應(yīng)(GMR)、隧道型磁電阻效應(yīng)(TMR)等，均與材料的自旋極化率相關(guān)。從應(yīng)用角度出發(fā)，如何獲取高磁電阻效應(yīng)仍然是自旋電子學(xué)領(lǐng)域的熱點(diǎn)問(wèn)題之一。半金屬鐵磁...
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