技術(shù)編號:3279715
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及的是一種氧化鈦薄膜的制備方法,特別是巨紅移高吸收釩鎵共摻雜氧化鈦納米薄膜的制備方法,屬于納米薄膜制備和新能源材料領域。背景技術(shù)氧化鈦是一種新興的半導體氧化物材料,應用于光催化降解有機物和太陽能電池器件中,可有效緩解傳統(tǒng)化石能源所帶來的污染及溫室效應,緩解能源危機。但氧化鈦作為一種寬禁帶半導體材料,其吸收邊在太陽光譜的紫外區(qū),只能利用太陽光5%的能量,大大限制其在工業(yè)生產(chǎn)中的推廣應用。同時,氧化鈦的光生載流子復合幾率很高,不利于氧化鈦實際應用效率的...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。