技術編號：3277543
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本實用新型涉及材料領域，尤其涉及一種單晶生長用石英安瓿內(nèi)壁碳膜制備裝置。背景技術石英安瓿廣泛應用于半導體單晶材料的生長工藝，有些原材料會與石英發(fā)生化學反應產(chǎn)生粘連，從而影響晶體生長，另一方面石英中的雜質(zhì)也會向材料中擴散，影響材料性能。因此一般在石英安瓿內(nèi)壁制備一層碳膜來避免類似情況的發(fā)生。碳膜的質(zhì)量直接影響到晶體生長時熔體寄生形核的幾率，從而影響晶體生長成品率。工藝中一般使用無水乙醇裂解或甲烷裂解的方法來進行碳膜制備，反應時使用高純氮氣作為載氣將無水乙醇蒸...
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