技術(shù)編號(hào)：3271390
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本實(shí)用新型涉及一種用于異質(zhì)結(jié)薄膜沉積系統(tǒng)組態(tài)，此類設(shè)備可廣泛應(yīng)用于任何需要于真空下進(jìn)行加工的制程，例如太陽(yáng)能硅片鍍膜加工。背景技術(shù)異質(zhì)結(jié)的真空鍍膜設(shè)備，由于制程需要經(jīng)由化學(xué)氣象沉積設(shè)備沉積非晶硅薄膜，之后再經(jīng)由濺鍍?cè)O(shè)備濺鍍導(dǎo)電薄膜，由于兩種薄膜的沉積屬于不同種類的設(shè)備，因此皆采用分布式直線真空鍍膜設(shè)備，然而硅片在一般環(huán)境容易遭受污染進(jìn)而影響后續(xù)的效率；若設(shè)置大范圍的無塵環(huán)境，雖然可克服此一問題，但整體設(shè)置成本過高，無法達(dá)到降低成本的要求，同時(shí)，設(shè)置面積因直...
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