專利名稱：一種用于異質(zhì)結(jié)薄膜沉積系統(tǒng)組態(tài)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種用于異質(zhì)結(jié)薄膜沉積系統(tǒng)組態(tài)，此類設(shè)備可廣泛應(yīng)用于任何需要于真空下進(jìn)行加工的制程，例如太陽能硅片鍍膜加工。
背景技術(shù)：
異質(zhì)結(jié)的真空鍍膜設(shè)備，由于制程需要經(jīng)由化學(xué)氣象沉積設(shè)備沉積非晶硅薄膜，之后再經(jīng)由濺鍍設(shè)備濺鍍導(dǎo)電薄膜，由于兩種薄膜的沉積屬于不同種類的設(shè)備，因此皆采用分布式直線真空鍍膜設(shè)備，然而硅片在一般環(huán)境容易遭受污染進(jìn)而影響后續(xù)的效率；若設(shè)置大范圍的無塵環(huán)境，雖然可克服此一問題，但整體設(shè)置成本過高，無法達(dá)到降低成本的要求，同時(shí)，設(shè)置面積因直線式得關(guān)系而加大設(shè)置面積，因此在量產(chǎn)上亟欲解決此一問題。
發(fā)明內(nèi)容·本實(shí)用新型主要目的系提供一種用于異質(zhì)結(jié)薄膜沉積系統(tǒng)組態(tài)，來改善現(xiàn)有直線式真空鍍膜設(shè)備占地面積大、制造成本高的問題。為了達(dá)成上述實(shí)用新型目的，本實(shí)用新型的技術(shù)方案是提供一種用于異質(zhì)結(jié)薄膜沉積系統(tǒng)組態(tài)分別跨越兩種不同潔凈區(qū)域的第一區(qū)域、第二區(qū)域及第三區(qū)，其中第一區(qū)域的環(huán)境潔凈度高于第二區(qū)域及第三區(qū)；該異質(zhì)結(jié)薄膜沉積系統(tǒng)組態(tài)依序包含加載區(qū)、自動(dòng)交換區(qū)、第一承載室、第二承載室、第三承載室及多個(gè)鍍膜反應(yīng)室、沉積室和卸載區(qū)，其中的特點(diǎn)是所述之異質(zhì)結(jié)薄膜沉積系統(tǒng)組態(tài)呈一半的H型設(shè)置，其中加載臺(tái)、自動(dòng)交換區(qū)及卸載臺(tái)設(shè)置在潔凈度要求較高的第一區(qū)域；所述之異質(zhì)結(jié)薄膜沉積系統(tǒng)組態(tài)第一承載室、多個(gè)鍍膜反應(yīng)室設(shè)置在潔凈度要求較低的第二區(qū)域，構(gòu)成半H型的左翼部分；所述之異質(zhì)結(jié)薄膜沉積系統(tǒng)組態(tài)第二承載室、多個(gè)鍍膜反應(yīng)室設(shè)置在潔凈度要求較低的第二區(qū)域，構(gòu)成半H型的右翼部分；所述之異質(zhì)結(jié)薄膜沉積系統(tǒng)組態(tài)第三承載室、多個(gè)沉積室設(shè)置在潔凈度要求較低的第三區(qū)域，構(gòu)成半H型的下半翼部分；所述之異質(zhì)結(jié)薄膜沉積系統(tǒng)組態(tài)的維修區(qū)域設(shè)置在半H型的左翼及右翼中；在上述異質(zhì)結(jié)薄膜沉積系統(tǒng)組態(tài)整體設(shè)制成半H型，加載臺(tái)、自動(dòng)交換區(qū)及卸載臺(tái)設(shè)置在潔凈度要求較高的第一區(qū)域，無需再另行設(shè)置潔凈度高的回傳機(jī)構(gòu)將沉積的異質(zhì)結(jié)太陽能電池硅片回傳，第二區(qū)域進(jìn)行異質(zhì)結(jié)太陽能電池硅片的非晶硅薄膜沉積，透過本身腔室的內(nèi)部傳動(dòng)將異質(zhì)結(jié)太陽能電池硅片回傳至第一區(qū)域既可交換的動(dòng)作。完成第二區(qū)域的非晶硅薄膜沉積后硅片可透過第一區(qū)域傳至第三區(qū)域進(jìn)行硅片導(dǎo)電薄膜的濺鍍，有效降低生產(chǎn)成本，同時(shí)可以保證異質(zhì)結(jié)太陽能電池硅片不受環(huán)境污染，同時(shí)整體承半H型設(shè)置有效降低所述異質(zhì)結(jié)太陽能電池系統(tǒng)硅片占地面積，同時(shí)利用半H型左翼及右翼中的區(qū)域設(shè)置維修區(qū)域，能在進(jìn)一步降低占地面積，無需另外再設(shè)置維修，做到更有效節(jié)省生產(chǎn)占地面積。

圖I系為本實(shí)用新型示意圖。主要組件符號(hào)說明。101...第一區(qū)域。102...第二區(qū)域。103...加載區(qū)。104...自動(dòng)交換區(qū)。105...卸載區(qū)。106...第一承載室。107...第一反應(yīng)室。108...第二反應(yīng)室。109...第二承載室。110...第三反應(yīng)室。111...第四反應(yīng)室。112...維修區(qū)。113...隔離閥門。114...第三承載室。115...第一緩沖室。116...第一沉積室。117...第二沉積室。118...第二緩沖室。119...第三卸載室。120...第三區(qū)域。
具體實(shí)施方式
為使方簡捷了解本發(fā)明之其他特征內(nèi)容與優(yōu)點(diǎn)及其所達(dá)成之功效能夠?yàn)轱@現(xiàn)，茲將本實(shí)用新型配合附圖，詳細(xì)明如下請閱圖1，本實(shí)用新型之主要目的系一種用于異質(zhì)結(jié)薄膜沉積系統(tǒng)組態(tài)，該一種用于異質(zhì)結(jié)薄膜沉積系統(tǒng)組態(tài)呈半H型設(shè)置，包括依序連接的加載區(qū)103、自動(dòng)交換區(qū)104和卸載區(qū)105構(gòu)成的第一區(qū)域?yàn)榘際型設(shè)置的橫向運(yùn)動(dòng)傳送結(jié)構(gòu)；其中所述之第一承載室106、第一反應(yīng)室107、第二反應(yīng)室108構(gòu)成第二區(qū)域?yàn)榘際型設(shè)置的左翼部分；其中所述之第二承載室109、第三反應(yīng)室110、第四反應(yīng)室111構(gòu)成第二區(qū)域?yàn)榘際型設(shè)置的右翼部分；其中所述之第三承載室114、第一緩沖室115、第一沉積室116、第二沉積室117、第二緩沖室118及第三卸載室119構(gòu)成第三區(qū)域?yàn)镠型設(shè)置的下半翼部分。同時(shí)，所述之一種用于異質(zhì)結(jié)薄膜沉積系統(tǒng)組態(tài)分別跨越兩種不同潔凈區(qū)域的第一區(qū)域101及第二區(qū)域102及第三區(qū)域120，其中第一區(qū)域101的環(huán)境潔凈度高于第二區(qū)域102第三區(qū)域120，因此加載區(qū)103、自動(dòng)交換區(qū)104和卸載區(qū)105設(shè)置在潔凈度要求高的第一區(qū)域101內(nèi)，而半H型設(shè)置的左翼、右翼及下半翼部分設(shè)置在潔凈區(qū)要求較低的第二區(qū)域102及第三區(qū)域120內(nèi)，其中左翼部分透過隔離閥門113與第一區(qū)域101連接；右翼部分透過隔離閥門113與第一區(qū)域101連接；下半翼部分透過隔離閥門113與第一區(qū)域101連接；所述之第二區(qū)域102內(nèi)設(shè)置維修區(qū)域112，該維修區(qū)域112設(shè)置于半H型左翼及右翼內(nèi)。在異質(zhì)結(jié)薄膜沉積系統(tǒng)組態(tài)沉積過程中，承載盤首先由加載區(qū)103傳送到自動(dòng)交換區(qū)104，再透過隔離閥門113進(jìn)入第一承載室106進(jìn)行預(yù)處理，包括對承載盤進(jìn)行抽真空及加熱的動(dòng)作；再通過隔離閥門113進(jìn)入第一反應(yīng)室107進(jìn)行真空反應(yīng)；再通過隔離閥門113進(jìn)入第二反應(yīng)室108進(jìn)行真空反應(yīng)，所述之真空反應(yīng)也就是在真空一定壓腔下由高頻電源解離由噴頭進(jìn)入的反應(yīng)氣體而產(chǎn)生等離子體進(jìn)行薄膜沉積，完成后，承載盤再透過隔離閥門113進(jìn)入第一反應(yīng)室107及第一承載室106回傳至自動(dòng)交換區(qū)104 ;再由自動(dòng)交換區(qū)104透過隔離閥門113傳送到第二承載室109進(jìn)行預(yù)處理，包括對承載盤進(jìn)行抽真空及加熱的動(dòng)作；再通過隔離閥門113進(jìn)入第三反應(yīng)室110進(jìn)行真空反應(yīng)；再通過隔離閥門113進(jìn)入第四反應(yīng)室112進(jìn)行真空反應(yīng)，沉積完成后，承載盤再透過隔離閥門113進(jìn)入第三反應(yīng) 室110及第二承載室109回傳至自動(dòng)交換區(qū)104 ;之后傳送至第三區(qū)域120，再透過隔離閥門113進(jìn)入第三承載室114進(jìn)行抽真空動(dòng)作，再透過隔離閥門113進(jìn)入第一緩沖室115進(jìn)行預(yù)處理預(yù)處理，包括對承載盤進(jìn)行抽真空及加熱的動(dòng)作，再透過隔離閥門113進(jìn)入第一沉積室116及第二沉積室117進(jìn)行導(dǎo)電膜濺鍍，之后在進(jìn)入第二緩沖室118進(jìn)行冷卻動(dòng)作，再透過隔離閥門113進(jìn)入第三卸載室119卸載及回傳動(dòng)作，回到第一區(qū)域101的自動(dòng)交換區(qū)104后在傳至卸載區(qū)105進(jìn)行承載盤卸載。在上述異質(zhì)結(jié)薄膜沉積系統(tǒng)組態(tài)沉積過程中，由于該系統(tǒng)整體設(shè)置呈半H型，因此加載區(qū)103及卸載區(qū)105設(shè)置在潔凈度要求較高的第一區(qū)域101，透過內(nèi)置的傳動(dòng)系統(tǒng)將承載盤在送回第一區(qū)域101，無需再另行設(shè)置回傳構(gòu)送回承載盤，有效降低設(shè)備設(shè)置成本，同時(shí)，半H型設(shè)置也有效的降低占地面積及過程中的污染；同時(shí)，對于未來產(chǎn)能的擴(kuò)充極具彈性，只需沿自動(dòng)交換104區(qū)域橫向進(jìn)行設(shè)置的增加即可。綜上所述，本實(shí)用新型在突破先前之技術(shù)結(jié)構(gòu)下，確實(shí)已達(dá)到所欲增進(jìn)之功效，且也非熟悉該項(xiàng)技藝者所于思及，其所具之進(jìn)步性、實(shí)用性，顯已符合實(shí)用新型之申請要件，惟上詳細(xì)明系針對本實(shí)用新型之一可實(shí)施之具體明，該實(shí)施并非用以限制本實(shí)用新型之專范圍，而凡未脫本實(shí)用新型技藝所為之等效實(shí)施或變，均應(yīng)包含于本案之專范圍中。
權(quán)利要求1.一種用于異質(zhì)結(jié)薄膜沉積系統(tǒng)組態(tài)分別跨越兩種不同潔凈區(qū)域的第一區(qū)域、第二區(qū)域極第三區(qū)域，其中第一區(qū)域的環(huán)境潔凈度高于第二區(qū)域極第三區(qū)域；該異質(zhì)結(jié)薄膜沉積系統(tǒng)組態(tài)依序包含加載區(qū)、自動(dòng)交換區(qū)、第一承載室、第二承載室、第三承載室及多個(gè)鍍膜反應(yīng)室、沉積室和卸載區(qū)。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述之一種用于異質(zhì)結(jié)薄膜沉積系統(tǒng)組態(tài)，其中該加載區(qū)、自動(dòng)交換區(qū)和卸載區(qū)設(shè)置于第一區(qū)域內(nèi)。
3.根據(jù)權(quán)利要求第I項(xiàng)所敘述之一種用于異質(zhì)結(jié)薄膜沉積系統(tǒng)組態(tài)，其中該第一承載室、第二承載室、第三承載室及多個(gè)鍍膜反應(yīng)室、沉積室設(shè)置于第二區(qū)域內(nèi)。
專利摘要本實(shí)用新型目的一種用于異質(zhì)結(jié)薄膜沉積系統(tǒng)組態(tài)，分別設(shè)置在不同的兩個(gè)區(qū)域，第一區(qū)域、第二區(qū)域及第三區(qū)，其中第一區(qū)域的潔凈度要求高于第二區(qū)域及第三區(qū)域；該異質(zhì)結(jié)薄膜沉積系統(tǒng)組態(tài)依序包含加載區(qū)、自動(dòng)交換區(qū)、第一承載室、第二承載室、第三承載室及多個(gè)鍍膜反應(yīng)室、沉積室和卸載區(qū)，由于整體呈半H型設(shè)置，有效降低占地面積，無需設(shè)置潔凈度要求較高的回傳機(jī)構(gòu)，同時(shí)，也有效降低承載盤受環(huán)境的污染。
文檔編號(hào)C23C28/00GK202730236SQ20122035558
公開日2013年2月13日 申請日期2012年7月23日 優(yōu)先權(quán)日2012年7月23日
發(fā)明者周文彬, 劉幼海, 劉吉人 申請人:吉富新能源科技(上海)有限公司