技術(shù)編號：3262874
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于材料制備方法，具體涉及。背景技術(shù)碳化鉿熔點高達(dá)3887 °C，其晶須也因其高的強度常被用作增強體材料，以提高復(fù)合材料和涂層的性能。但這對晶須結(jié)構(gòu)的均一性有很高的要求。而且如果直接將純的晶須添加到復(fù)合材料中去，易形成較強的界面結(jié)合，反而會使材料的脆性增加，給增強效果帶來不利的影響。因此，許多研究者采用制備晶須表面涂層，以改善界面結(jié)合，提高增強效果。文獻(xiàn)I “B. B. Nayak, et al. SiC/C nanocable structure ...
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