技術(shù)編號(hào):3262870
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種,屬于半導(dǎo)體厚膜制備。背景技術(shù)碘化汞(HgI2)為半導(dǎo)體化合物是一種制作室溫半導(dǎo)體核輻射探測(cè)器材料,具有許多優(yōu)異的特性。禁帶寬度大(2. 13eV)、原子序數(shù)高(MHg = 80,M1 = 53)、電阻率高(P >1013Ω · cm)、電離效率高(52%),優(yōu)異的物理、化學(xué)和電學(xué)特性,使得碘化汞具有光電線(xiàn) 性吸收系數(shù)大、探測(cè)效率高、能量分辨率好等優(yōu)勢(shì),因此其對(duì)X、Y射線(xiàn)(尤其對(duì)低能量的X、Y射線(xiàn))具有很高的探測(cè)效率和良好的能量分辨率,...
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