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c軸垂直膜面取向的M型鋇鐵氧體薄膜的制備方法技術(shù)資料下載

技術(shù)編號(hào):3262472

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本發(fā)明屬于電子材料技術(shù)。背景技術(shù)微波技術(shù)的不斷發(fā)展,使得微波器件及相關(guān)介質(zhì)材料的研究日益受到重視。特別是隨著電子整機(jī)系統(tǒng)的小型化、輕量化、平面化、集成化方向發(fā)展,微波器件也逐漸由塊體向平面薄膜化和單片集成電路整合方向發(fā)展。作為下一代微波器件,如環(huán)行器、隔離器、移相器和濾波器等相關(guān)組件,要求應(yīng)用于其中的材料具有平面型、非互易、自偏置、低損耗以及易操作性等一系列新特點(diǎn)。其中,M型鋇鐵氧體(BaFe12O19,BaM)薄膜因具有強(qiáng)的磁晶各向異性、較高的飽和磁化強(qiáng)...
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