技術(shù)編號：3254880
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明屬于磁控濺射鍍膜設備領(lǐng)域，特別是一種用于磁控濺射平面靶鍍膜設備的可調(diào)靶基距裝置。背景技術(shù)在磁控濺射鍍膜設備領(lǐng)域里，影響鍍膜工藝流程因素諸多，比如溫度，鍍膜氣壓， 鍍膜時間，以及靶面與基片距離(又稱靶基距)等。靶基距的大小將影響膜層的沉積速率，膜層均勻性，膜層的質(zhì)量，以及基片沉積溫度等。在有些磁控濺射設備有可調(diào)靶基距裝置，但存在著很大的弊端，對與磁控濺射設備來說，為抽到全真空需要花費很長時間，所以在設備操作基本原則上，盡量減少真空室暴露空氣當中，而傳統(tǒng)...
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