技術編號：3254194
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及在形成太陽能電池的光吸收層中適合使用的、含有Cu、In、Ga及Se元素的粉末、燒結體及濺射靶、以及含有Cu、In、Ga及Se元素的粉末的制造方法。背景技術在CIGS系薄膜太陽能電池的光吸收層的形成中，一直以來，使用層疊利用濺射形成的Cu-Ga膜以及In膜并對得到的層疊膜在含有Se的氣體氣氛中進行熱處理而形成Cu-In-Ga-Se系化合物膜的方法(例如專利文獻I)。但是，這樣的成膜方法中，需要Cu-Ga二元系合金和In的各自的成膜用成膜室和濺射靶材...
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