技術(shù)編號(hào):3249074
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及用于制造半導(dǎo)體設(shè)備、液晶面板等電子零件的等離子體處 理裝置用構(gòu)件及其制造方法。背景技術(shù)半導(dǎo)體設(shè)備和液晶面板等的制造工藝中,具有在Si片或玻璃基板上進(jìn)行等離子體處理的成膜工序、干法刻蝕工序。等離子體處理時(shí),使用各種腐蝕性的氣體?,F(xiàn)有的腔室(chamber)內(nèi)壁由金屬制成,在腔室內(nèi)以裸 露狀態(tài)而露出。但是,伴隨著近年來(lái)的半導(dǎo)體設(shè)備等的集成化程度的提高, 所允許的金屬污染量變得越來(lái)越低。另外,為得到等離子體處理的高品質(zhì) 化,使用的等離子體正逐年向高密度...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專(zhuān)利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專(zhuān)利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。