技術編號：3245835
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及功能材料薄膜的制備方法，特別是涉及各向異性磁電阻薄膜的改性。 技術背景各向異性磁電阻坡莫合金薄膜通常用來制造計算機磁盤的讀出頭和磁場傳感器等應用 器件，廣泛應用于加工行業(yè)、數(shù)控機床、汽車控制、交通管理、家電、民用電表、軍用 導航等領域。各向異性磁電阻坡莫合金薄膜通常選用Ta作為Ni^Fe,9薄膜的種子層，由 于其結構簡單、制作相對容易、價廉、穩(wěn)定性好，在體積、質(zhì)量及成本上有很大優(yōu)勢。 因此，國際上仍在不斷地挖掘AMR薄膜的潛力，提高其磁場靈敏度、...
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