技術編號：3245707
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及化學機械拋光工藝，尤其涉及一種可提高拋光性能的多晶硅拋 光方法。背景技術在制作非易失性存儲器(包括EPR0M、 EEPR0M和Flash )時，除制作用于存 儲數(shù)據(jù)的存儲陣列區(qū)外，還在鄰近存儲陣列區(qū)的區(qū)域上制作用于控制存儲陣列 的外圍控制電路區(qū)，該存儲陣列區(qū)和外圍控制電路區(qū)通過淺槽隔離結構分隔開，圍控制電路區(qū)與單個的存儲單元的面積比值通常為幾十或幾百)。在制作該存 儲陣列區(qū)和外圍控制電路區(qū)時，先制作淺槽隔離結構；然后再制作用于充當存 儲陣列區(qū)的浮...
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