技術(shù)編號(hào):3244771
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及涂覆氮化硅薄膜的領(lǐng)域,并能用于在真空中封裝薄膜OLED結(jié)構(gòu)(有機(jī)發(fā)光二極管)。背景技術(shù) 已知用于在真空中涂覆涂層的裝置,其中通過(guò)等離子處理襯底表面在其上形成涂層,并結(jié)合使用了提供定向能量流的不同功能的離子束源[1]。但是,因?yàn)樵谘b置中使用的不同類型的離子束源運(yùn)行在不同的條件下,通常形成的涂層的結(jié)構(gòu)和相組成互不相同,這使各層相互匹配確保高度粘合相當(dāng)復(fù)雜,所以在實(shí)踐中不可能利用已知裝置確保在襯底上涂覆多層涂層。在這種情況下,因?yàn)樾枰_保每一個(gè)單獨(dú)的源...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。