技術(shù)編號(hào)：2979994
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種用于借助微波生成等離子體用來對(duì)襯底進(jìn)行CVD涂層的裝置，其中，裝置具有反應(yīng)氣體可被輸送到的真空箱和布置在其中的、與用于耦合輸入微波的裝置相連接的電導(dǎo)體。背景技術(shù)除了從實(shí)踐中公知的蒸發(fā)或?yàn)R射技術(shù)之外，也可以使用基于化學(xué)氣相沉積的涂層方法用于制造薄層。以下也將這樣的涂層方法稱作為CVD方法(來自英語chemical vapour deposition (化學(xué)氣相沉積))。由于來自氣相的化學(xué)反應(yīng)而在襯底的所加熱的表面上沉積固體組分。至少一種氣體狀原...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。