專利名稱：用于借助微波生成等離子體的裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于借助微波生成等離子體用來(lái)對(duì)襯底進(jìn)行CVD涂層的裝置，其中，裝置具有反應(yīng)氣體可被輸送到的真空箱和布置在其中的、與用于耦合輸入微波的裝置相連接的電導(dǎo)體。
背景技術(shù)：
除了從實(shí)踐中公知的蒸發(fā)或?yàn)R射技術(shù)之外，也可以使用基于化學(xué)氣相沉積的涂層方法用于制造薄層。以下也將這樣的涂層方法稱作為CVD方法(來(lái)自英語(yǔ)chemical vapour deposition (化學(xué)氣相沉積))。由于來(lái)自氣相的化學(xué)反應(yīng)而在襯底的所加熱的表面上沉積固體組分。至少一種氣體狀原始化合物和兩種反應(yīng)產(chǎn)物必須參與化學(xué)反應(yīng)，所述反應(yīng)產(chǎn)物中的至少一種以固體相存在。用CVD涂層方法也可以在襯底的復(fù)雜成形的表面情況下實(shí)現(xiàn)均勻的涂層。
通過(guò)等離子體輔助的化學(xué)氣相沉積，可以減小襯底的溫度負(fù)荷。為此目的，相鄰于襯底表面地例如用微波生成等離子體，以便由等離子體激發(fā)原始化合物(通常是反應(yīng)氣體)，并且輔助對(duì)于涂層所需要的化學(xué)反應(yīng)。
在用于CVD涂層的公知的裝置中(DE 38 30 249 C2)，通過(guò)多個(gè)用于耦合輸入微波的矩陣形布置的裝置在要涂層的襯底表面之上生成大面積的等離子體。在此，將矩陣形地布置在平面中的耦合輸入裝置的巨大的結(jié)構(gòu)耗費(fèi)看作為缺點(diǎn)，所述耦合輸入裝置是需要的，以便可以生成平面的和盡可能均勻的等離子體場(chǎng)。
從DE 39 26 023 C2中公知一種管形的外導(dǎo)體，該外導(dǎo)體經(jīng)由在外導(dǎo)體上沿著軸向伸展的縫隙形開口耦合到要涂層的襯底所位于的反應(yīng)室上。在管形的外導(dǎo)體中，可以通過(guò)耦合輸入微波脈沖形式的微波能量來(lái)生成等離子體，所述等離子體在外導(dǎo)體的縫隙形開口的附近激發(fā)反應(yīng)氣體，并且輔助或能夠?qū)崿F(xiàn)襯底的CVD涂層。
上述的裝置不適用于或僅有限制地適用于，將由導(dǎo)電材料制成的涂層生成到襯底上。用等離子體輔助的或進(jìn)行的化學(xué)反應(yīng)導(dǎo)致，也在對(duì)于等離子體生成所需要的組分的區(qū)域中沉積導(dǎo)電的涂層，該導(dǎo)電的涂層在短時(shí)間之后導(dǎo)致短路，或至少可能影響通過(guò)微波對(duì)等離子體的生成。一旦不再能確保由微波所生成的等離子體與導(dǎo)電的微波導(dǎo)體在空間上分開，則不再能形成空間上傳播的微波，使得等離子體生成被中斷。發(fā)明內(nèi)容
因此看作為本發(fā)明任務(wù)的是，如此設(shè)計(jì)一種用于借助微波生成等離子體用來(lái)使用于襯底的CVD涂層方法的裝置，使得用導(dǎo)電的材料也可以對(duì)襯底涂層。附加地線性延伸的盡可能均勻的等離子體生成也應(yīng)是可能的，以便輔助盡可能同樣的涂層。
根據(jù)本發(fā)明如下來(lái)解決該任務(wù)，即電導(dǎo)體在其兩個(gè)端部處分別與用于耦合輸入微波的裝置相連接，電導(dǎo)體與電壓源相連接，用該電壓源可以在電導(dǎo)體和周圍的真空箱之間生成電位差，并且電導(dǎo)體相對(duì)于用于耦合輸入微波的裝置電絕緣或脫耦。
由于電導(dǎo)體相對(duì)于真空箱和位于其中的反應(yīng)氣體的電位差，圍繞電導(dǎo)體生成電場(chǎng)，使得帶電的粒子要么移向電導(dǎo)體，要么被電導(dǎo)體排斥。形成包圍電導(dǎo)體的區(qū)域，較少的或幾乎沒有帶電的粒子逗留在該區(qū)域中，由此能夠?qū)崿F(xiàn)或輔助等離子體的形成。同樣可以設(shè)想，通過(guò)施加高頻交流電壓生成快速交變的電場(chǎng)，使得諸如電子的輕易可移動(dòng)的粒子移向電導(dǎo)體，和經(jīng)由該電導(dǎo)體引出，或被電導(dǎo)體排擠，并且形成電子的貧化區(qū)，而重的和不能移動(dòng)的離子幾乎不受快速交變的電場(chǎng)影響。合適的頻率范圍是I至200 MHz之間的無(wú)線電頻率的范圍。
通過(guò)電導(dǎo)體相對(duì)于微波的耦合輸入的電的或電流的絕緣，確保圍繞電導(dǎo)體的電場(chǎng)生成不明顯影響微波的生成。也可以設(shè)置可能在商業(yè)上可買到的直通濾波器 (Durchgangsfilter)來(lái)代替電的或電流的絕緣,該直通濾波器將微波饋入從電導(dǎo)體脫率禹。
以下僅僅示例性地從電導(dǎo)體的負(fù)電位出發(fā)來(lái)闡述本發(fā)明思想的其它的實(shí)施方案和擴(kuò)展方案，并且也可以以類似的方式在電導(dǎo)體的正電位的情況下或在施加高頻交流電壓的情況下來(lái)實(shí)現(xiàn)。
由于電導(dǎo)體的負(fù)電位，來(lái)自圍繞電導(dǎo)體所生成的等離子體中的電子遠(yuǎn)離電導(dǎo)體地在徑向上被排擠，并且以由負(fù)電位所預(yù)先給定的間距圍繞電導(dǎo)體聚集。等離子體的包圍電導(dǎo)體的電子與電導(dǎo)體一起形成同軸導(dǎo)電裝置，耦合輸入的微波可在所述同軸導(dǎo)電裝置中傳播。通過(guò)在電導(dǎo)體的兩個(gè)端部處耦合輸入微波，所耦合輸入的微波能量可以在很大程度上均勻地沿著電導(dǎo)體分布，并且導(dǎo)致生成相應(yīng)均勻的等離子體。
通過(guò)電導(dǎo)體的負(fù)電位此外可以實(shí)現(xiàn)，帶負(fù)電的粒子或電子被排斥并且?guī)д姷碾x子朝電導(dǎo)體方向被加速。在合適地預(yù)先給定負(fù)電位時(shí)，通過(guò)用帶正電的離子對(duì)電導(dǎo)體的由此所生成的沖擊可以減少以高動(dòng)能撞擊到電導(dǎo)體上的離子的粘附和沉淀，或者可以再次通過(guò)持續(xù)的離子沖擊將已經(jīng)沉淀的離子從電導(dǎo)體脫開。通過(guò)預(yù)先給定合適的環(huán)境條件和運(yùn)行參數(shù)，可以以此方式實(shí)現(xiàn)電導(dǎo)體的自凈化，該自凈化尤其是在電絕緣的殼體穿通的區(qū)域中和在布置在該區(qū)域中的用于耦合輸入微波的裝置中防止或至少延遲電導(dǎo)體的連續(xù)增長(zhǎng)的涂層。于是可以在長(zhǎng)的時(shí)間間隔上使用所述裝置用于用導(dǎo)電涂層材 料對(duì)襯底進(jìn)行CVD涂層，而不需要為清除對(duì)于微波傳播和等離子體生成所必要的組分而定期地中斷涂層過(guò)程。 通常謀求高的涂層速率，使得只引起電導(dǎo)體的延遲的涂層，而不能完全防止該電導(dǎo)體的涂層。
為了輔助電導(dǎo)體的自凈化，可以規(guī)定采用脈沖式微波激發(fā)，該微波激發(fā)同時(shí)也有利于許多涂層過(guò)程，尤其是PECVD涂層過(guò)程。
由于電導(dǎo)體的通過(guò)負(fù)電位所生成的離子沖擊導(dǎo)致該電導(dǎo)體的加熱，因而規(guī)定電導(dǎo)體是連接到冷卻液容器上的空心導(dǎo)體。通過(guò)用例如空氣或水的合適的冷卻介質(zhì)來(lái)連續(xù)流過(guò)空心的電導(dǎo)體，可以可靠地引出在電導(dǎo)體中所生成的熱量。
按照本發(fā)明思想的一種擴(kuò)展方案規(guī)定，電導(dǎo)體具有棒狀的造型?？梢猿杀居欣刂圃彀魻铍妼?dǎo)體，尤其是空心圓柱形電導(dǎo)體，并且由于簡(jiǎn)單的幾何關(guān)系，而能夠?qū)崿F(xiàn)等離子體沿著棒狀電導(dǎo)體的很均勻的形成。通過(guò)多個(gè)平行的和互相以間距布置的棒狀導(dǎo)體，可以產(chǎn)生平面延伸的等離子體生成。
按照本發(fā)明思想的另一種擴(kuò)展方案規(guī)定，電導(dǎo)體具有彎曲的走向。在此，彎曲的電導(dǎo)體可以布置在基本上平坦的面之內(nèi)，并且例如可以具有螺旋形的或回紋形的走向。以此方式已經(jīng)可以用唯一的電導(dǎo)體來(lái)生成平面延伸的、在工作區(qū)域之內(nèi)在很大程度上均勻的等離子體，使得可以實(shí)現(xiàn)在其尺寸方面與工作區(qū)域相匹配的襯底的相應(yīng)均勻的涂層。
同樣可以設(shè)想，通過(guò)一個(gè)彎曲的電導(dǎo)體或多個(gè)互相相間隔地布置的彎曲的電導(dǎo)體的合適的造型，生成復(fù)雜的空間造型，使得經(jīng)由或沿著復(fù)雜彎曲的表面可以生成在很大程度上均勻的等離子體。復(fù)雜成形的襯底以此方式也可以配備盡可能均勻的涂層，并且例如具有凹狀或凸?fàn)畹膮^(qū)域的工件，可以配備由導(dǎo)電材料制成的均勻的敷層。
為了防止在電導(dǎo)體的兩個(gè)端部處所耦合輸入的微波影響或干擾電導(dǎo)體相對(duì)于真空箱的負(fù)電位，規(guī)定電導(dǎo)體經(jīng)由穿通濾波器(DurchfUhrungsfilter)與電壓源相連接。穿通濾波器可以要么布置在用于耦合輸入微波的裝置的區(qū)域中，要么卻布置在電壓源的區(qū)域中，或布置在電壓源和真空箱之間的導(dǎo)電連接的走向中。
優(yōu)選規(guī)定，用于耦合輸入微波的裝置朝向電導(dǎo)體漏斗狀地展開。此外，可以用介電材料部分地或完全地充填用于耦合輸入微波的裝置，以便降低在微波耦合輸入處的電場(chǎng)并且延遲或限制在該區(qū)域中用導(dǎo)電材料的涂層。
用于耦合輸入微波的裝置可以具有帶有彎曲的徑向?qū)ΨQ外表面的截錐形的或優(yōu)選喇叭形的外輪廓。
優(yōu)選規(guī)定，用于耦合輸入微波的裝置具有縫隙形的或槽形的凹口。縫隙形的或槽形的凹口或切口可以在徑向上或與此成角度地沿著封閉的周邊線布置。通過(guò)以此方式明顯放大的表面，越過(guò)用于耦合輸入微波的裝置的表面地至少延遲用導(dǎo)電材料的連貫 涂層和封閉的導(dǎo)電路徑的形成。
同樣可以設(shè)想以及鑒于電導(dǎo)體相對(duì)于真空箱和微波的耦合輸入的電絕緣有利的是，在軸向上包圍電導(dǎo)體地布置縫隙形的或槽形的凹口。尤其是在沿著電導(dǎo)體延伸的和包圍該電導(dǎo)體的縫隙形凹口的同心的布置情況下，在通向電導(dǎo)體的過(guò)渡區(qū)域中發(fā)生縫隙形凹口的基本上完全的遮蔽，使得由于此原因而在該區(qū)域中不進(jìn)行連貫的涂層，或僅僅進(jìn)行強(qiáng)烈減少的涂層，并且可以顯著延遲或在通常的維護(hù)區(qū)間的范圍內(nèi)完全防止電導(dǎo)體與殼體壁的導(dǎo)電連接。
根據(jù)本發(fā)明思想的一種特別有利的擴(kuò)展方案規(guī)定，用于耦合輸入微波的裝置基本上在真空箱之內(nèi)展開。在真空箱的殼體壁的區(qū)域中，用于耦合輸入微波的裝置具有較小的直徑，或小的橫截面，使得可將在商業(yè)上可買到的密封裝置或密封組件采用于電導(dǎo)體和周圍的用于耦合輸入微波的裝置的壓力密封(Druckdichte)和電絕緣固定。


以下更詳細(xì)地闡述本發(fā)明思想的示出在附圖中的不同的擴(kuò)展方案。其中圖1展示用于借助微波生成等離子體的裝置的示意圖，該裝置具有真空箱和具有布置在其中的電導(dǎo)體，圖2示例性地展示電導(dǎo)體的不同的平面的或三維的造型，該電導(dǎo)體僅僅示意地繪出在真空箱的相對(duì)的殼體壁之 間，圖3展示電導(dǎo)體的近似螺旋形走向的示意圖，圖4展示布置在真空箱的殼體壁的區(qū)域中的用于耦合輸入微波的裝置的示意圖，該裝置電絕緣地包圍同心布置的電導(dǎo)體，圖5展示圖4中所示出的用于耦合輸入微波的裝置的不同的擴(kuò)展方案，圖6展示用于耦合輸入微波的裝置的又不同的擴(kuò)展方案，圖7以放大的和剖視的視圖展示用于耦合輸入微波的裝置的另一擴(kuò)展方案，和圖8以與圖7可比較的視圖展示用于耦合輸入微波的裝置的其它擴(kuò)展方案。
具體實(shí)施方式
在圖1中示出用于借助微波生成等離子體的本發(fā)明裝置1，該裝置I適用于在用尤其是導(dǎo)電材料對(duì)襯底進(jìn)行CVD涂層時(shí)使用。裝置I具有真空箱2，在該真空箱2中，電導(dǎo)體 3布置在真空箱2的兩個(gè)相對(duì)的殼體壁4之間。電導(dǎo)體3可以由導(dǎo)電的或半導(dǎo)電的材料組成。電導(dǎo)體3借助合適的密封元件5來(lái)電絕緣，并且壓力密封地固定在兩個(gè)殼體壁4處。
電導(dǎo)體3在其兩個(gè)端部處分別與用于耦合輸入微波的裝置6相連接。經(jīng)由用于耦合輸入微波的裝置6，可以在電導(dǎo)體3的兩側(cè)上耦合輸入微波。可以互相獨(dú)立地、但是優(yōu)選以合適的方式同步地實(shí)現(xiàn)耦合輸入。
電導(dǎo)體3附加地與電壓源7相連接，該電壓源7可以使電導(dǎo)體3達(dá)到相對(duì)于合宜地接地的真空箱2的負(fù)電位。為此所需要的偏置電壓可以例如在10 V和1000 V之間。由于電導(dǎo)體3通過(guò)密封元件5的電絕緣而確保，用于耦合輸入微波的裝置6和輸送微波導(dǎo)體不具有負(fù)電位。
如果在真空箱2中生成合適的真空并且經(jīng)由用于耦合輸入微波的裝置6饋入微波，則在電導(dǎo)體3的周圍生成等離子體。通過(guò)施加在電導(dǎo)體3上的偏置電壓生成恒定的電場(chǎng)，在該電場(chǎng)中，由電導(dǎo)體3徑向向外排擠電子和帶負(fù)電的粒子。通過(guò)微波所生成的等離子體的輕易可移動(dòng)的電子以與電導(dǎo)體3的基本上由電導(dǎo)體3的負(fù)電位預(yù)先給定的間距聚集， 并且形成包圍電導(dǎo)體3的包絡(luò)。
通過(guò)合適地預(yù)先給定諸如低壓、偏置電壓和所耦合輸入的微波能量的邊界條件， 可以實(shí)現(xiàn)，電導(dǎo)體3和包圍該電導(dǎo)體3的電子包絡(luò)的該同軸布置有利于微波的傳播，使得最后沿著電導(dǎo)體3形成表面波，并可以實(shí)現(xiàn)所耦合輸入的微波能量的均勻的能量分布。均勻的微波傳播 導(dǎo)致，在真空箱2中所生成的等離子體的相應(yīng)均勻的生成和維持。
經(jīng)由沒有示出的輸送設(shè)備可將反應(yīng)氣體輸送給真空箱2。由等離子體激發(fā)反應(yīng)氣體，使得迫使沉積所希望的涂層材料。涂層材料此外沉淀在同樣沒有示出的襯底表面上，并且引起襯底用涂層材料的連續(xù)生長(zhǎng)的涂層。
也可以用上述的等離子體CVD涂層方法來(lái)生成半導(dǎo)電的或?qū)щ姷膶?。圍繞電導(dǎo)體 3所生成的電場(chǎng)導(dǎo)致，帶正電的離子朝向電導(dǎo)體3被加速，并且以相應(yīng)的動(dòng)能撞擊到電導(dǎo)體 3上。通過(guò)該離子沖擊引起電導(dǎo)體3的自凈化。為了抵制電導(dǎo)體3的加熱可以規(guī)定，將電導(dǎo)體3實(shí)施為空心的導(dǎo)體，并在其端部處與冷卻劑循環(huán)相連接，使得通過(guò)冷卻劑的循環(huán)可以確保電導(dǎo)體3的有效冷卻。
根據(jù)圖1中所示出的實(shí)施例可將電導(dǎo)體3實(shí)施為棒狀電導(dǎo)體3。同樣可以設(shè)想，電導(dǎo)體3可以具有回紋形的或卻是螺旋形的走向，并且因此可以具有平面的或空間的延伸， 通過(guò)該延伸可以預(yù)先給定圍繞電導(dǎo)體3所生成的等離子體的相應(yīng)平面的或空間的傳播。在圖2中示范性示意地示出若干實(shí)施例。在圖3中繪出具有平面的、基本上螺旋形走向的電導(dǎo)體3的擴(kuò)展方案。以此方式，在與電導(dǎo)體3的螺旋形構(gòu)成的區(qū)域的尺寸相匹配的工作區(qū)域中，可以用簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu)裝置來(lái)生成比較均勻的等離子體，使得以與電導(dǎo)體3的間距所布置的襯底的均勻涂層成為可能。
在圖4至6中示范性繪出用于耦合輸入微波的裝置6的不同的擴(kuò)展方案。
在圖4中所展示的裝置6情況下，將要耦合輸入的微波用的包圍電導(dǎo)體3的外導(dǎo)體8在真空箱2之外漏斗狀地展開。合適的介電材料11位于漏斗狀放大的區(qū)域9中和用于耦合輸入微波的裝置6的倒圓的終端區(qū)域10中。附加地經(jīng)由真空密封12來(lái)密封電導(dǎo)體 3的穿通。
外導(dǎo)體8的漏斗狀的展開和位于其中的介電材料11導(dǎo)致微波場(chǎng)的局部削弱，使得顯著減少在圍繞用于耦合輸入微波的裝置6的區(qū)域中的等離子體生成。以此方式可以避免或至少延遲，在導(dǎo)電的涂層材料的情況下進(jìn)行在耦合輸入位置處的迅速涂層，該涂層可能導(dǎo)致短路和中止等離子體生成。
在圖5中所示出的實(shí)施例中，將用于耦合輸入微波的裝置6的外導(dǎo)體8的漏斗狀展開移置到真空箱2的內(nèi)部空間中，使得外導(dǎo)體8在穿通真空箱2的殼體壁4時(shí)具有小的直徑，并且可以使用在該圖解中沒有更詳細(xì)示出的在商業(yè)上可買到的密封元件用于電導(dǎo)體 3的同軸輸送部和周圍的外導(dǎo)體8的壓力密封和電絕緣密封。
在圖6中所示出的實(shí)施例中，終端區(qū)域10附加地具有環(huán)狀構(gòu)成的槽形的凹口 13， 所述槽形的凹口 13由于顯著放大的表面而使連續(xù)的涂層變得困難，并且在導(dǎo)電的涂層材料情況下，防止或至少延遲封閉的導(dǎo)電路徑的形成。
在圖7和8中，在電導(dǎo)體3的過(guò)渡區(qū)域中，放大地以剖視視圖示出包圍電導(dǎo)體3的用于耦合輸入微波的裝置6·的兩種其它的擴(kuò)展方案，其中所述電導(dǎo)體3是內(nèi)部空心的和可以由冷卻介質(zhì)流過(guò)。代替首先漏斗狀放大的區(qū)域9和倒圓的終端區(qū)域10，圖7中所展示的擴(kuò)展方案具有相間隔地包圍電導(dǎo)體3的空心圓柱形的端部區(qū)域14。在絕緣的介電材料11 中，同心布置的包圍電導(dǎo)體3的縫隙形的凹口 15位于空心圓柱形的端部區(qū)域14和電導(dǎo)體 3之間。在縫隙形的凹口 15的內(nèi)部區(qū)域16中僅發(fā)生顯著減小的涂層。
用于耦合輸入微波的裝置6的在圖8中所展示的擴(kuò)展方案既具有沿著周邊線伸展的縫隙形的凹口 13也具有同心布置的、包圍電導(dǎo)體3的縫隙形的凹口 15。用于耦合輸入微波的裝置6的以此方式強(qiáng)烈放大的表面導(dǎo)致在該區(qū)域中涂層的相應(yīng)延遲的形成，所述涂層能夠在電導(dǎo)體3和圖7和8中沒有示出的、位于左邊的殼體壁4之間實(shí)現(xiàn)導(dǎo)電連接。
權(quán)利要求
1.用于借助微波生成等離子體用來(lái)對(duì)襯底進(jìn)行CVD涂層的裝置，具有反應(yīng)氣體可被輸送到的真空箱(2)和具有布置在其中的、與用于耦合輸入微波的裝置(6)相連接的電導(dǎo)體(3)，其特征在于，電導(dǎo)體(3)在其兩個(gè)端部處分別與用于耦合輸入微波的裝置(6)相連接，電導(dǎo)體(3)與電壓源(7)相連接，用所述電壓源(7)可以在電導(dǎo)體(3)和周圍的真空箱(2)之間生成電位差，并且電導(dǎo)體(3)相對(duì)于用于耦合輸入微波的裝置(6)電絕緣或脫耦。
2.按照權(quán)利要求1的裝置，其特征在于，電導(dǎo)體(3)是連接到冷卻液容器上的空心的導(dǎo)體。
3.按照權(quán)利要求1的或權(quán)利要求2的裝置，其特征在于，電導(dǎo)體(3)具有棒狀的造型。
4.按照權(quán)利要求1的或權(quán)利要求2的裝置，其特征在于，電導(dǎo)體(3)具有彎曲的走向。
5.按照以上權(quán)利要求之一的裝置，其特征在于，電導(dǎo)體(3)經(jīng)由穿通濾波器與電壓源(7)相連接。
6.按照以上權(quán)利要求之一的裝置，其特征在于，用于耦合輸入微波的裝置(6)朝向電導(dǎo)體(3)漏斗狀地展開。
7.按照權(quán)利要求6的裝置，其特征在于，用于耦合輸入微波的裝置(6)基本上在真空箱(2)之內(nèi)展開。
8.按照以上權(quán)利要求之一的裝置，其特征在于，用于耦合輸入微波的裝置(6)部分地或完全地用介電材料(11)充填。
9.按照以上權(quán)利要求之一的裝置，其特征在于，用于耦合輸入微波的裝置(6)具有縫隙形的或槽形的凹口(13，15)。
10.按照權(quán)利要求9的裝置，其特征在于，在軸向上包圍電導(dǎo)體(3)地布置縫隙形的或槽形的凹口(15)。
11.按照以上權(quán)利要求之一的裝置，其特征在于，電導(dǎo)體(3)相對(duì)于周圍的真空箱(2)具有負(fù)電位或正電位。
12.按照權(quán)利要求1至10之一的裝置，其特征在于，可以用高頻交流電壓施加電導(dǎo)體(3)。
全文摘要
用于借助微波生成等離子體用來(lái)對(duì)襯底進(jìn)行CVD涂層的裝置(1)具有反應(yīng)氣體可被輸送到的真空箱(2)和布置在其中的電導(dǎo)體(3)，所述電導(dǎo)體在其兩個(gè)端部處分別與用于耦合輸入微波的裝置(6)以及與電壓源(7)相連接，用該電壓源(7)可在電導(dǎo)體(3)和周圍的真空箱(2)之間生成電位差，其中，電導(dǎo)體(3)相對(duì)于用于耦合輸入微波的裝置(6)是電絕緣的。電導(dǎo)體(3)具有棒狀的造型或彎曲的走向。電導(dǎo)體(3)經(jīng)由穿通濾波器與電壓源(7)相連接。用于耦合輸入微波的裝置(6)朝向電導(dǎo)體(3)漏斗狀地展開，并且部分地或完全地用介電材料(11)充填。用于耦合輸入微波的裝置(6)具有沿著周邊伸展的槽形的凹口。
文檔編號(hào)H01J37/32GK103003913SQ201080061090
公開日2013年3月27日 申請(qǐng)日期2010年11月5日 優(yōu)先權(quán)日2009年11月11日
發(fā)明者H.米格, K-M.鮑姆格特納, M.凱澤, L.阿爾貝茨 申請(qǐng)人:米格有限責(zé)任公司