技術(shù)編號(hào)：2905009
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種離子源絕緣裝置，特別適合于半導(dǎo)體工藝設(shè)備中的離子注入機(jī)。背景技術(shù)離子注入機(jī)是半導(dǎo)體工藝中離子摻雜的典型設(shè)備，離子源產(chǎn)生需要摻雜的離子束，離子束再經(jīng)過(guò)質(zhì)量分析、校正、加速，傳輸?shù)教幱诎惺医K端工藝腔體的硅片表面。隨著半導(dǎo)體器件集成度越來(lái)越高，半導(dǎo)體工藝設(shè)備越來(lái)越復(fù)雜，對(duì)離子源的的束流要求也越來(lái)越高。對(duì)于注入工藝，低能量大速流的離子注入機(jī)是發(fā)展的方向。適用于該類(lèi)離子注入機(jī)的離子源需要產(chǎn)生寬帶束或扁狀帶束。本發(fā)明正是基于應(yīng)用該類(lèi)離子源而設(shè)計(jì)。 發(fā)明內(nèi)...
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