技術編號：2903820
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種，特別是涉及一種調(diào)節(jié)束流的偏轉角度以及束流聚焦或發(fā)散的。背景技術離子注入是用來把改變導電率的雜質引入半導體晶片的標準技術。所需要的雜質材料在離子源中被離子化，離子被加速成具有規(guī)定能量的離子束，而且離子束對準晶片的表面。射束中的高能離子深入半導體材料的主體并且嵌入半導體材料的晶格形成導電率符合需要的區(qū)域。而且使用離子注入法在單晶或多晶硅中摻雜，是制造現(xiàn)代集成電路中使用的一種常規(guī)工藝過程。 但是當前在太陽能晶片摻雜領域，使用最多的方法依舊是熱擴散...
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