技術編號：2869298
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及。具體而言，一種用于進行室對室匹配的方法包括接收在第一等離子體系統的射頻發(fā)生器的輸出處測量的電壓和電流。所述方法進一步包括計算多項的總和。第一項是系數與所述電壓的函數的第一乘積。第二項是系數與所述電流的函數的第二乘積。第三項是系數、所述電壓的函數和所述電流的函數的第三乘積。所述方法進一步包括確定所述總和為與所述第一等離子體系統相關的蝕刻速率并且調節(jié)來自第二等離子體系統的射頻發(fā)生器的功率輸出以達到與所述第一等離子體系統相關的蝕刻速率。專利說明 ...
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