技術(shù)編號：2838071
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及晶體生長，尤其是涉及大截面磷酸二氫鉀(KH2PO4簡稱KDP)單晶體體的快速生長法。KDP晶體是一種優(yōu)良的非線性光學(xué)材料，主要應(yīng)用于激光二、三、四、五次倍頻，尤其是優(yōu)質(zhì)的大尺寸KDP晶體，目前已被國際上列為激光核聚變頻率轉(zhuǎn)換的唯一實(shí)用材料，也是當(dāng)今國際晶體生長研究的熱點(diǎn)課題。該晶體材料自1935年發(fā)現(xiàn)以來，國內(nèi)外研究者為獲得大尺寸高光學(xué)質(zhì)量的KDP晶體，已研究了半個多世紀(jì)。但至今大多數(shù)仍延用傳統(tǒng)的方法進(jìn)行單晶生長，通常采用的降溫法、恒溫流動法、恒...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。