技術(shù)編號：2810214
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。 相關(guān)申請的交叉參考本專利申請要求于2007年12月12日提交的韓國申請No. 10-2007-0138664的優(yōu)先權(quán)，在此將該韓國申請的全部內(nèi)容作為本申請的 參考而引入。背景技術(shù)這里公開的本發(fā)明涉及基底處理裝置和方法，更具體的說，涉及把 光致抗蝕劑液供應(yīng)到基底上的化學(xué)品液供應(yīng)裝置、具有這種供應(yīng)裝置的 基底處理裝置以及使用這種供應(yīng)裝置的基底處理方法。半導(dǎo)體器件是通過重復(fù)執(zhí)行把薄膜順序堆疊在硅晶片上的工序以形 成預(yù)定電路圖形而制成的。為了形成和堆疊這些薄膜，...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。