技術(shù)編號：2802272
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。對相關(guān)申請的交叉引用本申請要求享有美國申請序列號為60/580,001的優(yōu)先權(quán)，該申請于2004年6月15日提交。背景技術(shù)微電子器件的制作包含若干個(gè)步驟。在生產(chǎn)集成電路的制作設(shè)計(jì)中，有時(shí)需要選擇性蝕刻半導(dǎo)體的表面。過去，許多不同的蝕刻方法被不同程度地成功用于將材料選擇性地除去。而且，微電子結(jié)構(gòu)中不同層的選擇性蝕刻被認(rèn)為是集成電路生產(chǎn)過程中至關(guān)重要的步驟。在半導(dǎo)體和半導(dǎo)體微電路的制作中，經(jīng)常需要用聚合的有機(jī)物質(zhì)涂覆基片材料。基片材料的一些實(shí)例包括鈦、銅、可進(jìn)...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。