技術編號：2796843
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明是有涉及石刻術(lithography)，特別是包括溶解抑制劑的正光刻膠組合物。依據(jù)目前半導體工業(yè)的趨勢顯示，高效能邏輯處理器及十億位元(1-GBIT)動態(tài)隨機存取記憶體(DRAM)的發(fā)展需利用0.18μm以下的石刻術方法。理論上，要形成較細微光阻圖案的兩個方法為縮短曝光來源的波長，或增加曝光系統(tǒng)的數(shù)值孔徑(Numerical Aperture)。半導體工業(yè)的設備制造是采用遠紫外光石刻術技術，該石刻術技術是用于0.25μm方法的KrF激發(fā)激光(Exc...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。