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用來在不存在氮化硅的條件下進(jìn)行硅的koh蝕刻的負(fù)性光刻膠的制作方法技術(shù)資料下載

技術(shù)編號:2796811

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本發(fā)明涉及一種新的光刻膠,其用來制造微電子器件,例如用于微電子機(jī) 械系統(tǒng)(MEMS)中的那些微電子器件。背景技術(shù)在硅蝕刻工藝中通常會在硅基片上使用薄的(100-至300-納米)氮化硅或二 氧化硅涂層作為用于形成圖案蝕刻的掩模,或者作為鈍化層,以封閉有源電路。 在現(xiàn)有技術(shù)中,人們主要通過使用嘗試法選擇用于MEMS制造工藝的蝕刻保護(hù) 涂層或掩模,這是因為在市場上沒有通用保護(hù)涂層。經(jīng)常用蝕刻劑對各種材料 的蝕刻選擇性作為對MEMS工藝工程師的指導(dǎo)。由于氮化硅膜的...
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