技術(shù)編號：2785746
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造，特別涉及一種半導(dǎo)體器件隔離結(jié)構(gòu)的制造方法和用于該方法的掩膜。背景技術(shù) 半導(dǎo)體集成電路通常包含有源區(qū)和位于有源區(qū)之間的隔離區(qū)，這些隔離區(qū)在制造有源器件之前形成?，F(xiàn)有技術(shù)中形成隔離區(qū)域的方法主要有局部氧化隔離工藝(LOCOS)或淺溝槽隔離工藝(STI)。LOCOS工藝是在晶片表面淀積一層氮化硅，然后再進行刻蝕，對部分凹進區(qū)域進行氧化生長氧化硅。有源器件在氮化硅所確定的區(qū)域生成。對于隔離技術(shù)來說，局部氧化隔離在電路中的有效局部氧化隔離仍然存...
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