技術編號：2782905
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及半導體器件的制造所使用的光掩模的圖形生成方法、半導體器件的制造方法、半導體器件和實施圖形生成的程序。背景技術 隨著大規(guī)模集成電路(LSI)等的半導體器件的高速化，不斷推進半導體器件所使用的晶體管等的元件的精細化和高集成化。在這樣的半導體器件中，利用埋入設置在晶片上的層間絕緣膜的導電性通孔(過孔)或接觸等連接元件或多層布線。與半導體器件的精細化和高集成化對應地在多層布線層中縮小了布線的寬度或周期，從而布線密度增大了。其結果，在同一布線層等級的布線間...
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