技術編號：2779915
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及在半導體裝置制造工藝等中使用的。背景技術 與半導體集成電路一體化以及半導體裝置小型化程度進一步提高相適應，對更高性能光蝕刻技術的需求不斷增加。尤其是，為了使圖案精細化，要求抗蝕材料具有越來越高的性能。因此，目前常常使用化學放大型抗蝕劑作為獲得精細圖案的抗蝕材料。在化學放大型抗蝕劑中，由于其中含有酸生成劑，通過曝光和曝后烤生成酸，所生成的酸用作引發(fā)抗蝕反應的催化劑。因此，使用化學放大型抗蝕可以提高抗蝕劑的析像度和靈敏度?，F(xiàn)在參考圖7A-7D描述利用...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。